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发布时间: 2025-11-15 15:43
正文摘要:如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的话，那根据哪个参数去衡量MOS管的性能更好还是更坏呢？ |
fishafish 发表于 2025-12-29 14:59 你找个有上升时间和下降时间的MOSFET datasheet出来让我也乐一乐。 |
| 当然是上升时间和下降时间，小的佳 |
| 速度、栅极充放电电量。 |
lei848200 发表于 2025-11-15 18:00 没有这个参数，请勿误导他人。 |
lei848200 发表于 2025-11-15 18:00 哪个参数书开关频率啊 |
| 结电容 |
| mos管还有开关频率，需要高速开关的情况下需要看。 |
组图打开中，请稍候......
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