是否需要推挽，取决于你的驱动速度，不是阈值。
如果你使用50KHz的PWM驱动一个大功率MOSFET，根据其Total Gate Charge电量和驱动时间来计算驱动电流，假设Total Gate Charge = 10nC，要求栅极上升沿、下降沿时间为0.1us，则驱动电流为 I=100mA，此时，IO驱动时不够的。
但如果你只是低频开关，10Hz以下的，则IO串联100欧姆电阻就能驱动了。

WL0123 发表于 2026-10-30 14:20
按你描述的情况可以用IO口直接驱动，如果MOS管负载电流大且频率比较高可以加图腾柱电路驱动，但不是你画 ...

好的，感谢指导

xianfajushi 发表于 2026-10-30 13:00
不用推挽，用射随器即可。另贴出电路用高低电平分析上臂三极管如何导通？自述看看。

好的，上面PNP是我的失误，画反了，感谢指导。

低频无需，高频需要增大驱动功率

西路卡 发表于 2026-10-30 09:30
想问下大家，咨询个小小的建议，右图的NMOS需要加三极管推挽驱动吗？这个NMOS的阈值电压是0.7-1V。还有放电 ...

按你描述的情况可以用IO口直接驱动，如果MOS管负载电流大且频率比较高可以加图腾柱电路驱动，但不是你画的那种电路。

低压的不需要推挽，5V单片机IO口推挽模式可以直接驱动，其他应用也无需推挽，电压型器件，驱动耗散可以忽略不计，用做开关只需要注意高低电平需要覆盖其阈值电压以外即可，波形越陡峭，效果越好。

不用推挽，用射随器即可。另贴出电路用高低电平分析上臂三极管如何导通？自述看看。

想问下大家，咨询个小小的建议，右图的NMOS需要加三极管推挽驱动吗？这个NMOS的阈值电压是0.7-1V。还有放电电路的GND处理的是否有问题？

神奇啊，发空白内容就能通过，只要有询问的内容就是  信息不能发送