MOS管发热,请教一下附电路图

ID:491875 · 发表于 2023-2-22 08:07

估计驱动电压低了，将R2增大到100K左右吧。因为是静态驱动，R1的值无关紧要，只要与R2的分压不至于引起MOS管的G极电压过低就可以了，甚至可以短路R1或者增大R1。

ID:491875 · 发表于 2023-2-22 08:20

MOS管的阈值电压是4V，你的电路G极电压经R1,R2分压后不足4V，显然，MOS管处于放大状态，发热难免。可以试着增大R2或者减小R1甚至短路R1看看。

ID:491875 · 发表于 2023-2-22 09:06

cjjdemon 发表于 2023-2-22 08:06
P1.0增加一个三极管，来控制Q1的开闭，提高Q1栅极电压至12V以上，这样就不会发热啦

这是一个切实可行的办法。改低压驱动为12V驱动。

ID:491875 · 发表于 2023-2-22 12:14

happy2058 发表于 2023-2-22 11:17
问一下， VGS 不吃电流是吧，这个 R1 值为什么无关紧要？如果是 PWM 那R1如何先择

MOS管是电压控制，GS本身不消耗电流，只有GS结电容吸收很少一部分电流，你是静态驱动，结电容可以忽略。如果动态驱动，结电容就必须考虑。

ID:491875 · 发表于 2023-2-22 12:15

happy2058 发表于 2023-2-22 11:17
问一下， VGS 不吃电流是吧，这个 R1 值为什么无关紧要？如果是 PWM 那R1如何先择

PWM，R1越小越好！但必须考虑前级的承载能力！

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MOS管发热,请教一下 附电路图