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单片机开漏输出上拉至12V的配置问题

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发布时间: 2020-11-11 14:38

正文摘要:

手里有一个N沟道的MOS管,想把它配置成开关用,其导通电压信号由单片机送出,但是MOS管导通时的漏极(D)电压要求为12V,因为单片机输出只有5V,所以想把IO口配置为开漏输出,然后外部用10K电阻上拉到12V后再接MOS管 ...

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ID:128695 发表于 2020-11-12 23:07
小电流的h桥一般上管用P下管用N比较多,如果都使用N管,一般上管需要专门的带有升压/电荷泵功能的mos驱动芯片来产生超过电源电压的G级驱动电压,否则容易让管子开通不完全,进入线性区导致损耗过大烧毁的;回到题目的问题,单片机一般不能这么使用,开漏模式施加超过io耐压的电压会损坏mcu,对于电源电压12V没超过mos的vgs耐压情况,可以把上管换为p管,并在单片机io后加cd4011用来驱动,参考附件电路

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ID:160500 发表于 2020-11-12 19:01
单片机IO直接12V是不行的。仔细看一下datasheet就知道,IO口是有一个最大电压的,一般不超过VCC+0.3
或者VCC+0.7,超过会有烧毁IO脚或者整个MCU的风险
ID:687694 发表于 2020-11-12 18:57



低压驱动高压非隔离式,N沟管。驱动电流小于1ma。
ID:687694 发表于 2020-11-12 18:43
Y_G_G 发表于 2020-11-12 11:51
百度一下H桥电路,基本就能找到电路的
初学最好就是直接买成品的马达驱动,尽可能的保证问题不出现在硬件
...

这个电路貌似不一定能正常工作,因为GS 电压(1,2脚)并不一定能大于阈值电压。mos管会工作在放大态,会发热。负载会抬高S脚电压。
ID:687694 发表于 2020-11-12 16:17
本帖最后由 lovexulu 于 2020-11-12 16:19 编辑

不可以!三极管隔离可以,但因为你手里的管子是N沟,故驱动要2只三极管隔离。
ID:401564 发表于 2020-11-12 11:51
ADMIN_ALLENY 发表于 2020-11-11 16:48
很感谢您的指点,本人小白,作为初学者没啥经验。是这样,单片机的IO口是可以驱动导通NMOS,我这边是用想 ...

百度一下H桥电路,基本就能找到电路的
初学最好就是直接买成品的马达驱动,尽可能的保证问题不出现在硬件
PMOS管和NMOS管差不多是等效于PNP和NPN
不同的是,MOS管都自带(寄生)一个二极管的,看元件符号就知道了,其它的用法跟三极管是一样的以下是一个用三极管驱动NMOS管的电路,低电导通,但没有实际使用过,不知道MOS管会不会发热,你可以试一下,一个H桥就是4个相同的电路


ID:180919 发表于 2020-11-11 22:47
开关多数用P通道来开关正极.N通道的只能开关负极
ID:339654 发表于 2020-11-11 17:02
可以用三极管将12V电压与IO口隔离
ID:842160 发表于 2020-11-11 16:47
原理上没问题,注意设置IO口的工作模式
ID:423511 发表于 2020-11-11 16:27
可采用光耦隔离电路实现。

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ID:213173 发表于 2020-11-11 16:06
一般单片机端口施加电压不得大于VCC+0.5V。楼主所述NMOS管VGS±12V是极限指标,通常低压NMOS管VGS 起始导通电压2~3V,4.5V即可深度饱和导通。就算耐压几百V的MOS管,典型应用电路的驱动电压也不过10V。

ID:401564 发表于 2020-11-11 16:00
但凡是有点经验的,都不会给单片机的IO施加高于单片机VCC电源的电压
从原理上来说,把单片机的IO设定为OD型输出是可以的,但这本身也是要单片机运行代码之后才生效的,单片机上电复位就是默认值,很有可能会烧坏单片机的IO
一般是用一个三极管或者MOS来驱动的,而且,个人感觉一般的5V单片机IO足以驱动大多数的NMOS管了,不是高频的话,不用12V来驱动的
ID:626055 发表于 2020-11-11 15:24
原理上没有什么问题,注意开关速度不要太快。如果太快由于CGD的耦合电容,可能把IO口烧坏。

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