求助:关于开关电源MOS管过热问题,我已经无法解决,希望求援各位大佬,真心感谢

ID:1162888 · 发表于 2025-11-11 23:16

UC3843做反激电源驱动MOS，在很低功率下也发热高达100℃，这是为什么？我把相关资料放在讨论栏，请各位指导下思路
原理图如下
采用UC3843做驱动，已更换了4款mos管，发现都有温度过高的情况。变压器参数下文会给出。相关MOS管测温情况也给出。

pcb布局，如果有问题请指出

mos管运行3分钟后，温度变化，十分钟后超过100℃。表中列出其中两款mos管的温度变化

变压器参数：

电路各部分波形正常，工作在DCM模式
VDS+VGS

vgs米勒平台

测FB脚信号2.5V（黄色波形），CS电流检测在0.5-0.6V.

下面是我已经尝试的一些措施：

1、已尝试加大RCD吸收，电容加大容易带载不稳，电阻减小带载正常，但mos管发热没改善；
2、栅极电阻从47Ω，逐步减小至10Ω，栅极驱动从300多ns加快至100多ns，但mos管发热没改善；
3、更换输入电容更小的mos管，没改善。

4、环路补偿做了改动，TL431的动态补偿改较小电容10pf，电阻增大330K，mos管发热没改善；

5、辅助绕组加大限流电阻。电压由21V降低12V.mos管发热没改善；

目前已做完变压器更换，RCD吸收，及环路补偿调整，发热问题没改善，有经验的前辈们帮忙看看，大家畅所欲言，提供一些宝贵的建议。也许能让我想到一些我忽略的可能，谢谢

ID:57657 · 发表于 2025-11-12 08:05

若电路是正常的，MOS管加大面积散热片与风扇

ID:56665 · 发表于 2025-11-12 08:14

散热器面积太小。

ID:876947 · 发表于 2025-11-12 10:03

63KHZ的频率，D3用1N4007这样的低频管不合适；将C10换成203降低频率试试；变压器高频导磁率太低换一个浅灰色变压器芯试试？变压器耦合缝隙太小造成临界磁饱和。试后反馈一下咱们共同学习一下？

ID:876947 · 发表于 2025-11-12 10:16

追加一条：将变压器4、5脚调换试试。

ID:491875 · 发表于 2025-11-12 11:54

看错了R5,R6

ID:491875 · 发表于 2025-11-12 12:14

把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驱动电流不足导致MOS管进入饱和状态的时间延长而有相当一部分时间处于放大状态

ID:1162888 · 发表于 2025-11-12 12:44

发表于 2025-11-12 10:16
追加一条：将变压器4、5脚调换试试。

好的，下午将D3更换为fr107.误差放大器试过将电阻增大放大10倍，输出不稳。下午降频试试。变压器引脚这里是什么问题？如果更换就与原边绕组同步了，现在辅助绕组的接法的是与副边一样的接法，mos导通的时候原边充能，关断的时候放给副边和辅助绕组。

ID:57414 · 发表于 2025-11-12 13:31

1、把变压器匝比改到10试试。
2、你的MOS管在导通时，有二次导通现象，先解决这个问题。然后想办法优化电源效率，把效率做到85%以上，温升即可降下来。

ID:1162920 · 发表于 2025-11-12 13:40

有经验的前辈们帮忙看看

ID:876947 · 发表于 2025-11-12 15:33

本帖最后由白水大虾2016 于 2025-11-13 11:02 编辑

1109 发表于 2025-11-12 13:31
1、把变压器匝比改到10试试。
2、你的MOS管在导通时，有二次导通现象，先解决这个问题。然后想办法优化电 ...

从原理图看主绕组跟副绕组是同相的，反激电源的主绕组跟副绕组应该反相。另外变压器主绕组30匝我感觉太少了（半导体材料用氮化镓除外），对200W以下的反激电源来说初级匝数应在50匝以上（经验）。

ID:1153607 · 发表于 2025-11-12 17:21

先把散热加大再说，什么东西也不能在极限值附件工作。另外好像有寄生振荡！需要解决。加上负极性加速三极管，你的管子在米勒效应下管不住了。

ID:1162888 · 发表于 2025-11-12 19:01

老愚童63 发表于 2025-11-12 12:14
把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驱动电流不足导致MOS管进入饱和状态的时间延长而有相当一部分时间处于 ...

谢谢指导。改了，改到10Ω的时候，开关速度加快一半。VGS米勒振荡更大了，发热跟原来差不多。

ID:1162888 · 发表于 2025-11-12 19:05

白水大虾2016 发表于 2025-11-12 15:33
从原理图看主绕组跟副绕组是同相的，反激电源的主绕组跟副绕组应该反相。另外变压器主绕组30匝我感觉太少 ...

噢，原来是这样。学到了。我是按照网上给出的一些思路来计算的。Ae法或AP法选磁芯，原边匝数一般在30-50匝，电感在300-800uH.其实我也没完全搞懂比较适合的在那个区间。

ID:1162888 · 发表于 2025-11-12 19:05

发表于 2025-11-12 13:40
有经验的前辈们帮忙看看

谢谢。意见都很有用

ID:1162888 · 发表于 2025-11-12 19:10

1109 发表于 2025-11-12 13:31
1、把变压器匝比改到10试试。
2、你的MOS管在导通时，有二次导通现象，先解决这个问题。然后想办法优化电 ...

是的。我也注意到这个问题。二次近乎关断再导通，这个环节开关损耗是非常大的。下午我加大栅极电阻，把米勒效应跟寄生电感造成振荡做了优化，尽量平缓。好像温度是有降下来了。具体我明天得详细测试，才能给出肯定答复。

ID:876947 · 发表于 2025-11-12 19:24

本帖最后由白水大虾2016 于 2025-11-13 11:01 编辑

小鱼的发放发表于 2025-11-12 12:44
好的，下午将D3更换为fr107.误差放大器试过将电阻增大放大10倍，输出不稳。下午降频试试。变压器引脚这里 ...

从原理图看主绕组跟副绕组是同相的，反激电源的主绕组跟副绕组应该反相。另外变压器主绕组30匝我感觉太少了（半导体材料用氮化镓除外），对200W以下的反激电源来说初级匝数应在50匝以上（经验）。

ID:1041808 · 发表于 2025-11-22 11:59

把你的这个电源原理图发过来共享一下行不行

ID:876947 · 发表于 2025-11-23 10:22

楼主的实验怎么样了啊？分享一下吧？

ID:1162888 · 发表于 2025-11-25 11:46

发表于 2025-11-23 10:22
楼主的实验怎么样了啊？分享一下吧？

已经解决了，谢谢各位大佬的指导。今天做个更新

ID:1162888 · 发表于 2025-11-25 11:57

通过加大栅极电阻，减缓充电的时间。把米勒平台的振铃调成水平就能解决发热问题。

ID:1162888 · 发表于 2025-11-25 12:28

发表于 2025-11-23 10:22
楼主的实验怎么样了啊？分享一下吧？

这是改善后的驱动波形，问题就出在这里。我加大了栅极驱动电阻，把充电产生的振铃抑制。温升就下来了。

这是原来的驱动波形，那个回勾造成了关断又开启。加大了开关损耗，造成发热。

改善后测试了75W的输出功率，mos温升不超过70℃。效率达到88%。问题已得到解决，非常感谢大佬的指点。

ID:1162888 · 发表于 2025-11-25 12:32

发表于 2025-11-22 11:59
把你的这个电源原理图发过来共享一下行不行

你好，开头第一张图就是。设计参数基本没变，把R18改成100R。调试过了，可以直接用，如果有需要可以讨论。

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