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两路N+P的MOS管控制半导体制冷片，切换状态烧毁MOS管

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楼主
ID:466730 发表于 2026-7-9 19:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题，因为板子尺寸限制，只够用封装好的两个N+P型MOS管去控制半导体制冷片，待机时AB两片都输入低电平，当需要制热时A高电平B低电平，切换制冷时先两路AB同时关闭一段时间然后再B高电平A低电平，测试过程中出现制冷或制热某个状态持续1分钟左右，再切换到另一个状态，延时开启时瞬间烧毁MOS管，有懂的大佬知道是选型的MOS耐压和电流不够还是原本就不能快速切换
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