本帖最后由 zl2168 于 2016-10-10 22:06 编辑
实例50 非零地址读写AT24C02
由于E2PROM的半导体工艺特性，对E2PROM的写入时间需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片内部设置了一个具有SRAM性质的输入缓冲器，称为页写缓冲器。CPU对该芯片写操作时，AT24Cxx系列芯片先将CPU输入的数据暂存在页写缓冲器内，然后，慢慢写入E2PROM中。因此，CPU对AT24Cxx系列E2PROM一次写入的字节数，受到该芯片页写缓冲器容量的限制。页写缓冲器的容量为16B，若CPU写入字节数超过芯片页写缓冲器容量，应在一页写完后，隔5～10ms重新启动一次写操作。
AT24Cxx页写缓冲的特性，需要补充说明的是，一次写入AT24Cxx字节数不但不能超过芯片页写缓冲器容量，而且，若不是从页写缓冲器页内零地址0000写起，一次写入地址不能超出页内最大地址1111。例如，若从页内地址0000写起，一次最多可写16字节；若从页内地址0010写起，一次最多只能写16-2=14字节。若要写16字节，超出页内地址1111，将会引起地址翻卷，导致出错。因此，本例16字节从AT24C025BH开始写起，须分两次写入。第1次写0x5b～0x5f单元，第2次写0x60～0x62单元，中间还必须有页写延时。
先Proteus仿真一下，确认有效。 | 
