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四种电源防接反电路

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ID:344848 发表于 2024-5-22 16:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
    防反接电路用于防止电子元器件因正负极接反而烧毁。常见的防反接电路有四种:二极管串联、整流桥、NMOS和PMOS。二极管串联利用二极管的单向导电性,整流桥则能正反接都导通但会消耗电能。NMOS和PMOS的防反接电路设计则通过控制电流路径来实现正负极的保护。
    1、二极管串联:利用二极管的单向导电性(正向导通,反向截止),在正电源输出端串联一个二极管进行正常导通,如果电源接反,由于无法形成回路,它就会截止。
51hei.png
2、整流桥电路:整流桥不论是正接还是反接,它的输出始终都是固定的,电路都能保持正常工作。不过,不管是一个二极管还是多个,它都会产生管压降,并且消耗电能。
51hei.png
3、微耗能电源防接反电路:这时候就可以运用MOS管的防反接电路设计了。
    NMOS和PMOS的防反接电路设计
51hei.png
    当输入为上正下负时,电流经过R1、R2以及mos管的寄生二极管到地,R1和R2分压后,GS电压大于MOS管的导通电压Vgs,随后mos管导通。当极性接反时,也就是上负下正,电流路径会被MOS管的寄生二极管给反向截止,GS由于没有了电压而截止,电路回路被切断。PMOS的防反接原理与NMOS是一样的,只不过位置不同,PMOS一般我们会把它放在上方。
51hei.png

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ID:344848 发表于 2024-5-22 17:18 | 显示全部楼层
NMOS和PMOS的防反接电路设计可以用于电动三轮车的蓄电池防接反保护。
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ID:1065749 发表于 2024-5-22 18:33 | 显示全部楼层
电动车充电器防反接电路采用可控硅控制的。
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ID:1100060 发表于 2024-5-26 00:31 | 显示全部楼层

二极管防反接: 止回、逆导、「整」流,
「整」流,其实可视之为止回的进阶运用。
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ID:344848 发表于 2024-5-26 22:37 | 显示全部楼层
LhUpBJT 发表于 2024-5-26 00:31
二极管防反接: 止回、逆导、「整」流,
「整」流,其实可视之为止回的进阶运用。

这也是从二极管、到三极管,最后到场效应管的工程。目前的集成电路,无论是数字型,还是模拟型,几乎采用场效应管。有源射频电路也采用场效应管,否则不存在所谓的“记忆”效应。
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ID:344848 发表于 2024-5-26 22:42 | 显示全部楼层
18689719961 发表于 2024-5-22 18:33
电动车充电器防反接电路采用可控硅控制的。

可控硅用途会越来越少了,就像电动车充电器原来使用自激开关电源一样,现在全部采用它激开关电源。
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ID:344848 发表于 2024-6-29 21:47 | 显示全部楼层
使用MOS管作为保护电路,最重要是选择MOS管,下面以选择NMOS为例,解答你的疑问。
例如选用AM2326N ,输入电压要小于Vin=Vds/1.5=20/1.5≈13V;R2*Vin/(R1+R2)=1.8V,先确定任意一个电阻值,便可求出另一个电阻值。稳压管
Vd1<|Vgs|=8V。附件上传AM2326N 的数据手册。

AM2326N.pdf

134.16 KB, 下载次数: 7, 下载积分: 黑币 -5

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ID:344848 发表于 2024-6-29 23:19 | 显示全部楼层
我提供的方案是从工程设计实际应用出发的。工程设计中应用单片机(MCU)、DSP、FPGA等可以节省大量元器件。它的通常工作电压是5V,有坛友说低功耗工作电压是3.3V 。就按3.3V工作电压,AM2326阈值电压是0.9V,考虑到所有不利因素的影响,正常工作栅极工作电压选1.8V。保护3.3V电源防接反不存在问题。况且得到了验证。
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ID:344848 发表于 2024-6-30 01:01 | 显示全部楼层
另, ARM供电有3.3V和1.8V;3.3V通过LDO芯片产生1.8V,不需要单独保护1.8V电源,只需保护3.3V即可。
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ID:910662 发表于 2024-7-9 08:51 | 显示全部楼层
可以设计成一个3端器件,用起来更方便。
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ID:344848 发表于 2024-7-9 10:21 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-9 08:51
可以设计成一个3端器件,用起来更方便。

可以按楼7#的计算公式,使用陶瓷基板,印制电阻制成3端器件+散热器。
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ID:910662 发表于 2024-7-10 10:48 | 显示全部楼层
donglw 发表于 2024-7-9 10:21
可以按楼7#的计算公式,使用陶瓷基板,印制电阻制成3端器件+散热器。

这个几乎不会发热,所以完全可以集成化,不用厚膜。
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ID:910662 发表于 2024-7-10 10:48 | 显示全部楼层
18689719961 发表于 2024-5-22 18:33
电动车充电器防反接电路采用可控硅控制的。

可控硅压降太高。
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ID:910662 发表于 2024-7-10 15:31 | 显示全部楼层
donglw 发表于 2024-5-22 17:18
NMOS和PMOS的防反接电路设计可以用于电动三轮车的蓄电池防接反保护。

上面的电路估计不能用于电动车充电口防反接。在没有接充电器前,mos已经导通了。
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ID:584952 发表于 2024-7-11 03:24 | 显示全部楼层
大功率低内阻的MOS管不便宜呀。
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ID:344848 发表于 2024-7-11 07:26 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-10 15:31
上面的电路估计不能用于电动车充电口防反接。在没有接充电器前,mos已经导通了。

按楼7#设计,没有问题
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ID:344848 发表于 2024-7-11 07:35 | 显示全部楼层
mountainqy 发表于 2024-7-11 03:24
大功率低内阻的MOS管不便宜呀。

MOS管不同于晶体管,可以采用多个MOS管并联;注意:多个MOS管并联,电路参数要按楼层7#设计重新修改。
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ID:344848 发表于 2024-7-11 07:41 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-10 10:48
这个几乎不会发热,所以完全可以集成化,不用厚膜。

虽然导通阻抗是毫欧姆,若导通电流是安级,需要考虑散热。
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ID:344848 发表于 2024-7-11 07:46 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-10 10:48
可控硅压降太高。

MOS管的导通电阻是毫欧姆,电动车充电电流是安级,压降可以忽略。
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ID:910662 发表于 2024-7-17 15:51 | 显示全部楼层
donglw 发表于 2024-7-11 07:26
按楼7#设计,没有问题

你试过吗?要求:1、反向接入充电器;2、如果1没问题,先正向接入充电器,再立即反向接。应该都没有电流。
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ID:910662 发表于 2024-7-17 15:55 | 显示全部楼层
电动车电池防止充电器反接,当然也可以防止充电口短路,可以使用理想二极管。注意电压要求,反接时是两个电压之和。理想二极管,某一个宝有售,高电压的,价格不便宜。
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ID:344848 发表于 2024-7-17 18:59 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-17 15:51
你试过吗?要求:1、反向接入充电器;2、如果1没问题,先正向接入充电器,再立即反向接。应该都没有电流 ...

48V、60V、72V都试过,它们的数值均不同;300V、500V也试过。
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ID:344848 发表于 2024-7-17 19:05 | 显示全部楼层
另外,最低工作电压是3.3V试过!
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ID:344848 发表于 2024-7-17 19:27 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-17 15:51
你试过吗?要求:1、反向接入充电器;2、如果1没问题,先正向接入充电器,再立即反向接。应该都没有电流 ...

“先正向接入充电器,再立即反向接”——现实是不存在。我说过我提供的电路是经过仿真和搭建电路两方面验证过的,不同于教课书。
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ID:344848 发表于 2024-7-18 07:51 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-17 15:55
电动车电池防止充电器反接,当然也可以防止充电口短路,可以使用理想二极管。注意电压要求,反接时是两个电 ...

工程实际不存在理想二极管!
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ID:344848 发表于 2024-7-18 08:04 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-17 15:55
电动车电池防止充电器反接,当然也可以防止充电口短路,可以使用理想二极管。注意电压要求,反接时是两个电 ...

1、能否将理想二极管的规格书上传一下,长长知识。2、“反接时是两个电压之和”——不清楚你要表达何意?
3、高电压?——多少伏?
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ID:344848 发表于 2024-7-18 08:13 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-17 15:55
电动车电池防止充电器反接,当然也可以防止充电口短路,可以使用理想二极管。注意电压要求,反接时是两个电 ...

在本坛推广你的产品,似乎找错了地方!
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ID:910662 发表于 2024-7-18 08:41 | 显示全部楼层
donglw 发表于 2024-7-17 19:27
“先正向接入充电器,再立即反向接”——现实是不存在。我说过我提供的电路是经过仿真和搭建电路两方面验 ...

楼主电路3,如果VOUT接入电池,则Q1导通,注意是双向导通。如果此时VIN反向接入,必然发生电源短路的问题,连我的要求1都无法满足。我说的能满足1而不能满足2的电路,跟你的电路不一样,是由VIN提供MOS偏置的,未接VIN时,如果Q1未导通,则因为没有偏置而不会导通,可以满足要求1;但一旦VIN正向接入,Q1导通,并且是双向导通,撤去VIN,VOUT通过Q1在VIN输出,维持Q1导通,此时如果VIN反接,必然引起电源短路,所以不能满足要求2。理想二极管可以满足这两个要求。我估计你实验的时候,没有在VOUT接入电源。楼主的电路很好,只是不适合充电器反接保护。
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ID:910662 发表于 2024-7-18 08:53 | 显示全部楼层
donglw 发表于 2024-7-17 19:27
“先正向接入充电器,再立即反向接”——现实是不存在。我说过我提供的电路是经过仿真和搭建电路两方面验 ...

除了二极管和理想二极管,我想用三极管可以实现充电口防反接保护,只是我没有测试。
51hei图片_20240711142052.jpg
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ID:344848 发表于 2024-7-18 13:07 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-18 08:41
楼主电路3,如果VOUT接入电池,则Q1导通,注意是双向导通。如果此时VIN反向接入,必然发生电源短路的问题 ...

NMOS管导通的前提有两个:G极电压高于S极,D极电压高于S极。撤掉电源D极电压低于S极电压它关闭了。为了避免上述情况需要串肖特基二极管!
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ID:344848 发表于 2024-7-18 13:28 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-18 08:53
除了二极管和理想二极管,我想用三极管可以实现充电口防反接保护,只是我没有测试。

为何不使用三极管,三极管导通的阻抗是欧姆级,NMOS管导通的阻抗是毫欧姆级。三极管需要散热面积是NMOS散热面积近似千倍。
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ID:910662 发表于 2024-7-18 15:43 | 显示全部楼层
donglw 发表于 2024-7-18 08:13
在本坛推广你的产品,似乎找错了地方!

你抬举我了,我哪有什么产品?
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ID:344848 发表于 2024-7-18 21:00 | 显示全部楼层
NPN三极管也是这样,B极高于E极,C极高于E极,C极接电源,E极接电池;撤掉电源,C和E是截止的。负载是电池需要串肖特基二极管。
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ID:344848 发表于 2024-7-19 00:51 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-18 15:43
你抬举我了,我哪有什么产品?

有什么问题尽管提?模数、单片机动手结合书本比只看书进步更快!
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ID:1067167 发表于 2024-7-19 11:26 | 显示全部楼层
学习了  实用
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ID:344848 发表于 2024-7-19 23:34 | 显示全部楼层
dhjmw 发表于 2024-7-18 08:41
楼主电路3,如果VOUT接入电池,则Q1导通,注意是双向导通。如果此时VIN反向接入,必然发生电源短路的问题 ...

给电池充电防接反电路,可参考我的帖子:http://www.51hei.com/bbs/dpj-236915-1.html

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ID:344848 发表于 2024-7-20 00:24 | 显示全部楼层
所谓的“理想二极管”实际是MOS管,炒概念! 实际是使用Ti公司的芯片+NMOS管,类似开关电源低压整流使用同步整流技术!按照炒概念说法,也是“理想二极管”!

LM74700-Q1.PDF

301.87 KB, 下载次数: 1, 下载积分: 黑币 -5

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ID:344848 发表于 2024-7-20 00:31 | 显示全部楼层
炒概念的“理想二极管”实质上是控制芯片+NMOS,与二极管没有任何关系了!
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ID:344848 发表于 2024-8-1 00:33 | 显示全部楼层
找到了栅极阈值电压|Vgs(th)|小于1的P沟道VMOS管——RZR040P01
RZR040P01.PDF (229.38 KB, 下载次数: 1)
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ID:187802 发表于 2024-8-14 10:18 | 显示全部楼层
见过老外产品就用的第3个图的方法,来防接反
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