二极管学习
PN结的形成
在一块半导体基片上通过适当的半导体工艺技术可以形成Ｐ型半导体和Ｎ型半导体的交接面，称为PN结。
当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,由多子形成的电流可以由Ｐ区向Ｎ区流通，见图(a),而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,由少子形成的电流极小，视为截止(不导通)，见图(b)。
硅管正向压降约为0.6～0.7V ，锗管的正向压降约为0.2～0.3V。二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线向左移。
当二极管的外加反向电压大于一定数值（反向击穿电压）时，反向电流突然急剧增加称为二极管反向击穿。反向击穿电压一般在几十伏以上。
半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等；
点接触型二极管（一般为锗管）如图(b)其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）如图(c)其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管如图(d)，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。
二极管的主要参数
最大平均整流电流IF ：指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。与PN结的面积、材料和散热条件有关反向电流（也称反向漏电流）IR ：在加反向电压时没有超过二极管最大反向耐压二极管所流过的电流
最大反向耐压（也称最大反向工作电压）URM：二极管加反向电压，发生击穿时的电压为击穿电压。最大反向耐压一般取其的三分之一到三分之二浪涌电流IFSM ：瞬间流过二极管的最大单次峰值电流，一般比IF大几十倍
正向压降UF：在规定正向电流的条件下的二极管正向电压降。它反映了二极管正向导电时的正向电阻和损耗的大小
反向恢复时间Trr：二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近其最大反向电流10%的时间
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