请教一下大家稳压后怎么放大电流？

• 输出功率：Pout=9V×20A=180W   
• 线性串联稳压（例如 7809 做基准，外接功放三极管以 24→9 降压）时，掉压约 24−9=15V24-9=15\text{V}  
  • 线性耗散功率：Pdiss=15V×20A=300WP_{diss}=15\text{V}\times20\text{A}=300\text{W}  
    
    
  
  

• 原因：效率高（常在 85–95%），把 300 W 的线性发热降到大约 Ploss≈Pout×(1/η−1)P_{loss}\approx P_{out}\times(1/\eta-1)Ploss​≈Pout​×(1/η−1)。例如 90% 效率时：损耗约 180∗(1/0.9−1)=20180*(1/0.9-1)=20180∗(1/0.9−1)=20 W（可散热，现实可行）。
• 如何避免射频干扰（EMI）：选用 同步整流的低噪开关器件 + 良好输入/输出 LC 滤波 + 共模扼流器 + 屏蔽/接地。若对噪声极敏感，可以在开关降压后再并联一个小线性后级 LDO 做低噪声“清洁”源（线性只需处理小压差，耗散小）。关于滤波和低噪声设计的资料可参考模拟厂商应用笔记。
  
  

• MOSFET 在线性工作时比 BJTs 有时更好（低 Rds(on) 在接近饱和时），但把 MOSFET 作为线性通道仍会产生大量耗散，器件应选大封装、并加流均衡（源阻）并强制风冷/水冷。仍然不推荐用于 300 W 级耗散场合，除非你能承担冷却系统。
• 若你坚持用线性扩流，关键点在于保证并联器件的均流（见下节实现细节与参考）。网上以 78xx + 多个 PNP/PNP 功率管 并联作法有示意，但都被用于较小电流扩展（几十安培时也有示例，但配套散热/均流/安全电路复杂）。
  
  

强烈建议先读：并联晶体管必须加小电阻在每个发射/源端以保证均流（没有它一个管会抢流并过热）。主流经验与讨论都指出：发射（或源）旁路电阻、器件热耦合与足够的散热是并联成功的关键。

• 典型拓扑
  • 78xx（或 7809）驱动若干个大功率 PNP（或 P-Channel MOSFET）作为外部串联“通流元件”。
  • 每个功率管的发射（或源）串上小电阻 Re（通常几十到几百毫欧，具体按预计电流算），用于均流与热稳定性。参考常见做法是给每管 0.05–0.1 Ω（视电流与允许压降而定）。讨论与论坛/教学资料多次提到 emitter/source 串阻能有效均流。
    
    
• 如何选 Re 的大致计算（示例思路）
  • 假设 5 个并联管，共 20 A → 每管约 4 A。若你用 0.05 Ω，单管上电压降 V=I×R=4×0.05=0.2V=I\times R=4 \times 0.05=0.2 V，功耗 P=I2R=0.8P=I^2 R = 0.8P=I2R=0.8 W/管（额外损耗），但这个电阻帮助限制差异产生的电流放大。
  • 但请注意：器件本身在串联稳压中还要承受较高的 Vce（约 15V），每管还需承担相应的热功耗（高达几十到百来瓦），因此单靠并联并不能解决散热问题。
    
    
• 并联时的基础规则
  • 给每管做 小值发射/源电阻（均流）。不要试图只在基极并联没有限流的做法。
  • 采用 同一型号、同一批次器件并且在同一散热片上安装（热耦合一致能帮助均流）。
  • 增加 电流/热保护：每个器件独立的温度检测或全局过流/过温保护，避免失控热失配导致连锁故障。
  • 注意器件 Vbe / Id 特性差异，BJT 更容易热失控 → MOSFET 在低 RdsOn 区更好，但做线性时也会发热。论坛/资料建议优先用 MOSFET 或成对的互补结构以降低 Vdrop。
    
    
• 关于射频干扰（EMI）
  
  
  • 线性方案本身不会像开关电源那样产生大量高频开关噪声，但“扩流管+长导线+快速负载变化”仍可能产生瞬态干扰。避免 RF 问题的做法：把输出做好去耦（大电解 + 低 ESR 陶瓷），布局短回路，良好接地。若使用开关电源，必须做好输入输出 LC 滤波、共模扼流器和屏蔽。模拟厂商的 LDO/滤波应用文档讲了很多低噪声设计技巧。