利用MOS内阻作为电流采样电阻的过流点计算，计算方法错在哪里？

ID:668004 · 发表于 2025-11-4 11:33

ID:668004 · 发表于 2025-11-4 11:33

（VAMP=5V）

ID:980134 · 发表于 2025-11-4 14:21

什么叫做错在哪里，已经验证过了话就把实际输入输出结果说一下，还有就是你这运放前一个是放大作用后一个是比较作用，5/3.2这式子列不出来的。MOS的内阻不是恒定的，受节温度和漏极电流大小影响的

ID:69038 · 发表于 2025-11-4 14:35

半导体有一个特性就是非线性，你拿它来当采样电阻，能准吗？

ID:1133081 · 发表于 2025-11-4 16:03

你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温和DS电流时内阻都不同。何况其内阻变化虽然是毫欧级，但比值确很大，基本不可能精确计算出不同工况下过流点。用作短路保护作粗略取样也许能行。

ID:57657 · 发表于 2025-11-5 07:33

MOS管温度越高内阻越大，误差可能会超过20%

ID:21455 · 发表于 2025-11-5 11:09

个人看法：从图看，该是比较器，前级放大再后级比较。其用意是过流监测吧？电流超过一定值，比较器翻转给MCU。

ID:17340 · 发表于 2025-11-5 11:26

MOS管的内阻在固定的温度下通过固定电流是固定的，要单片机做一个表格温补查表。

ID:879348 · 发表于 2025-11-5 11:56

运放电容不要乱加，C3C2都是是错误的

ID:91150 · 发表于 2025-11-5 13:01

WL0123 发表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温 ...

确实新颖如果从手册上查到这些参数或者上电逐个实测不同工况点下各项参数能不能实现呢？

ID:1079566 · 发表于 2025-11-5 15:33

实际使用是有类似的电路, 因为对限流要求精确度不高, 也就+-10%都不是问题. 电池保护芯片就是这样的.不用精确查表.

U4A放大取样电压(你这个电路放大倍数有点小). 然后与VREF比较大小, 结果输出高/低电平给MCU.

ID:1133081 · 发表于 2025-11-5 15:48

wjhhhhh 发表于 2025-11-5 13:01
确实新颖如果从手册上查到这些参数或者上电逐个实测不同工况点下各项参数能不能实现呢？

上电逐个实测不同工况点下各项参数编制数据表，编程控制能实现目的，但要求MOS内阻特性一致性好，否则不适合量产。另外还要考虑相关电路与传统取样电阻方式有无成本优势。

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:55

发表于 2025-11-4 14:21
什么叫做错在哪里，已经验证过了话就把实际输入输出结果说一下，还有就是你这运放前一个是放大作用后一个是 ...

好的谢谢

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:55

zhuls 发表于 2025-11-4 14:35
半导体有一个特性就是非线性，你拿它来当采样电阻，能准吗？

很多电池保护板都是那样做的还可以防反接呢

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:56

WL0123 发表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温 ...

短路保护可以的

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:56

npn 发表于 2025-11-5 07:33
MOS管温度越高内阻越大，误差可能会超过20%

那这么说的话就是计算出来的过流点误差很大了

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:56

发表于 2025-11-5 11:09
个人看法：从图看，该是比较器，前级放大再后级比较。其用意是过流监测吧？电流超过一定值，比较器翻转给MC ...

是的我的理解也是那样的

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:57

wufa1986 发表于 2025-11-5 11:56
运放电容不要乱加，C3C2都是是错误的

是不是输出接一个电阻再接电容

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:57

ZSJM 发表于 2025-11-5 15:33
实际使用是有类似的电路, 因为对限流要求精确度不高, 也就+-10%都不是问题. 电池保护芯片就是这样的.不用精 ...

放大倍数那么小我也不知道什么原因

ID:668004 · 发表于 2025-11-11 18:57

WL0123 发表于 2025-11-5 15:48
上电逐个实测不同工况点下各项参数编制数据表，编程控制能实现目的，但要求MOS内阻特性一致性好，否则不 ...

是的

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