标题: Multisim仿真验证之二极管的特性参数 [打印本页]
作者: yongfengxie    时间: 2020-3-31 19:02
标题: Multisim仿真验证之二极管的特性参数


R1
10%
20%
30%
50%
70%
90%
Vd/mV
299
543
583
608
627
658
Id/mA
0.01
0.1
0.6
1.4
2.8
7.2
rd/Ω
29900
5430
971
434
223
91
表1 二极管正向特性参数

从仿真数据可以看出：二极管电阻值不是固定值，当二极管两端正向电压小，处于“死区”，正向电阻很大、正向电流很小，当二极管两端正向电压超过死区电压，正向电流急剧增加，正向电阻也迅速减小，处于“正向导通区”。


R1
10%
20%
30%
50%
70%
90%
Vd/mV
19999
39997
59994
99989
100828
101192
Id/mA
0.002
0.004
0.007
0.01
75
281
rd/Ω
9.9E6
9.9E6
8.5E6
9.9E5
1344
360
表1 二极管反向特性参数

从仿真数据可以看出：二极管反向电阻较大，而正向电阻小，故具有单向特性。反向电压超过一定数值（VBR），进入“反向击穿区”，反向电压的微小增大会导致反向电流急剧增加。

参考：
http://www.51hei.com/bbs/dpj-112524-1.html
Multisim模拟电路仿真

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