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Flash模拟EEPROM擦除时间太长

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楼主
ID:1108479 发表于 2024-6-20 11:32 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
大家好，

用的是STM32 MCU，为了省成本，用了内部Flash模拟EEPROM，Flash最小擦除单位是扇区，一个扇区大小是128K。

用一个扇区模拟EEPROM，当整个扇区写满后，擦除一次。但是规格书上写的是擦除一个128K的扇区需要耗时1~2s,这个时间太长了！

肯定影响到系统实时性了。

有什么办法可以解决吗？看来还得用单独的EEPROM芯片了！
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沙发
ID:1109793 发表于 2024-6-20 16:56 | 只看该作者
秒还是毫秒？STM32不会用，STC也不用2秒吧
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板凳
ID:1108479 发表于 2024-6-20 17:25 | 只看该作者
xiaobendan001 发表于 2024-6-20 16:56
秒还是毫秒？STM32不会用，STC也不用2秒吧

秒，确实是1~2s, 规格书上写的，很奇怪很多用大容量的Flash都是怎么用的？
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地板
ID:123289 发表于 2024-6-20 19:44 | 只看该作者
怀疑读书不准确，当为ms级。将你读的书贴出来看看。
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5#
ID:192020 发表于 2024-6-20 20:38 | 只看该作者
要擦128K这么多？单位是不是有问题
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6#
ID:1034262 发表于 2024-6-20 21:22 | 只看该作者
xiaobendan001 发表于 2024-6-20 16:56
秒还是毫秒？STM32不会用，STC也不用2秒吧

STC8系列EEPROM扇区擦除几个ms。
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7#
ID:57657 发表于 2024-6-21 06:25 | 只看该作者
看你程序使用了多少字节EEPROM，使用数据磨损均匀算法写满再擦。
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8#
ID:1108479 发表于 2024-6-21 09:33 | 只看该作者
qq475878026 发表于 2024-6-20 20:38
要擦128K这么多？单位是不是有问题

ST的高端MCU，STM32H743， 2M Flash, 最小擦除粒度确实是128K。
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9#
ID:1108479 发表于 2024-6-21 09:37 | 只看该作者
yzwzfyz 发表于 2024-6-20 19:44
怀疑读书不准确，当为ms级。将你读的书贴出来看看。

用的是STM32H743，高端MCU ，内部2M flash，最小擦除粒度是128K，擦除时间如下图，上面的单位是s (不确定有没有看错)。附件规格书你也可以看一下


STM32H743数据手册.pdf

4.85 MB, 下载次数: 2
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10#
ID:1108479 发表于 2024-6-21 09:43 | 只看该作者
npn 发表于 2024-6-21 06:25
看你程序使用了多少字节EEPROM，使用数据磨损均匀算法写满再擦。

这个我知道，其实我问的是擦除时间长影响实时性的问题
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11#
ID:744809 发表于 2024-6-21 10:10 | 只看该作者
可以在程序初始化的时候擦除，就不会影响后面的实时性，当然启动时间也有要求的话，就没办法了
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12#
ID:161164 发表于 2024-6-21 10:52 | 只看该作者
可以按页擦除啊，一页只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory






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13#
ID:123289 发表于 2024-6-22 00:11 | 只看该作者
擦128K是秒级，擦一页不需要这么多时间。
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14#
ID:1108479 发表于 2024-6-22 09:17 | 只看该作者
lkc8210 发表于 2024-6-21 10:52
可以按页擦除啊，一页只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

估计没看我发的STM32H743的规格书，这个MCU没有页的概念，只有扇区概念，所以擦除单位只能按扇区来擦除，一个扇区是128K。所以这样是不是无解了？不行的话，就用EEPROM了，国产的一个也没几个钱


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15#
ID:1108479 发表于 2024-6-22 09:17 | 只看该作者
yzwzfyz 发表于 2024-6-22 00:11
擦128K是秒级，擦一页不需要这么多时间。

这颗MCU没有页而概念，只有扇区，一个扇区是128K，所以只能按照128K扇区擦除
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16#
ID:624769 发表于 2024-6-22 20:13 | 只看该作者
据说，STM是非常高级的芯片，这玩艺难道还是单线程？你发了擦除指令之后，只能象“落后的51”一样，等他完成了才能获得时钟权限么？不能先干别的事？
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17#
ID:123036 发表于 2024-6-22 22:37 | 只看该作者
188610329 发表于 2024-6-22 20:13
据说，STM是非常高级的芯片，这玩艺难道还是单线程？你发了擦除指令之后，只能象“落后的51”一样，等他完 ...

STM32H743双bank把他分分应该不影响程序跑起来。
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18#
ID:828160 发表于 2024-6-23 15:41 | 只看该作者
lkc8210 发表于 2024-6-21 10:52
可以按页擦除啊，一页只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

这个不是H7xx的芯片吧
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19#
ID:844772 发表于 2024-7-1 11:39 | 只看该作者
我理解你的问题是，需要不断读取Flash，但擦除时会停止取指操作，MCU就像是卡了，但你给的手册 P33 的 Figure 4. STM32H743xI/G bus matrix ，看图它分为flash A 和flash B，我理解如果读取FLASHA时，可以对FLASHB进行擦除操作，在擦除的几秒时间内，SysTick_Handler()中断服务函数，uwTick记数器变化应该正常的。我的建议你应该理解吧？
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20#
ID:1108479 发表于 2024-7-1 11:54 | 只看该作者
188610329 发表于 2024-6-22 20:13
据说，STM是非常高级的芯片，这玩艺难道还是单线程？你发了擦除指令之后，只能象“落后的51”一样，等他完 ...

我不太明白，擦除Flash的时候，CPU还能干别的事吗？不是要等擦除完成吗？难道擦除Flash的时候还能像DMA一样操作？如果能这样，那就好办了
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