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Multisim仿真验证之二极管的特性参数

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  • 正向


R1
10%
20%
30%
50%
70%
90%
Vd/mV
299
543
583
608
627
658
Id/mA
0.01
0.1
0.6
1.4
2.8
7.2
rd/Ω
29900
5430
971
434
223
91
1 二极管正向特性参数

从仿真数据可以看出:二极管电阻值不是固定值,当二极管两端正向电压小,处于“死区”,正向电阻很大、正向电流很小,当二极管两端正向电压超过死区电压,正向电流急剧增加,正向电阻也迅速减小,处于“正向导通区”。
  • 反向


R1
10%
20%
30%
50%
70%
90%
Vd/mV
19999
39997
59994
99989
100828
101192
Id/mA
0.002
0.004
0.007
0.01
75
281
rd/Ω
9.9E6
9.9E6
8.5E6
9.9E5
1344
360
1 二极管反向特性参数

从仿真数据可以看出:二极管反向电阻较大,而正向电阻小,故具有单向特性。反向电压超过一定数值(VBR),进入“反向击穿区”,反向电压的微小增大会导致反向电流急剧增加。

参考:
http://www.51hei.com/bbs/dpj-112524-1.html
Multisim模拟电路仿真

完整的pdf格式文档51黑下载地址:
001二极管的特性.pdf (338.55 KB, 下载次数: 9)

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