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小家电电源芯片方案AP8022实例方案图，电路设计方案原理图文档
AP8022 采用先进的高低压兼容工艺，将 PWM控制电路和耐压高达 700V 以上的MOSFET完美的集成在同一颗芯片上。
主要特征：
‹ 电流控制模式；
‹ 内置高压 MOSFET（>700v）；
‹ VDD输入范围为 9～38v；
‹ 内置频率为 62KHz 振荡器
‹ 集成了过压、欠压、过流、短路、过温等完整的保护方案；
‹ 空载时芯片静态功耗小于 100mW；
‹ 自动重启动；
比较优势：
‹ 内置高压 MOSFET 能有效的节约购买分离器件的成本，同时 PCB 版图的面积也将缩小。由于 PWM 控制电路和功率管在同一个芯片上，开关回路的面积能最大程度的减小，相对采用 PWM 控制芯片和功率管分离的方案来说，EMC性能会有很大的优势；
‹ 无需采用高压启动电阻，可以有效的降低待机功耗，同时还可节省外围元件（高压电阻），提高了安全性能（高压电阻的短路或不符合规范将可能烧坏控制芯片）
‹ 内置振荡器减少了外围器件(调节振荡器频率所用的电容或电阻)的数量和 PCB 版图的面积；
‹ VDD 输入范围达到 30v，在辅助线圈输出变化很大时，仍能保证电路正常工组，无需使用特殊的钳位措施来限定 VDD的变化。
AP8022 DEMO系统为反激式开关电源，单路输出额定电压为 12V，最大允许输出电流 1.5A。
电路原理图如下：
完整的pdf格式文档51黑下载地址：
AP8022资料.pdf
(712.99 KB, 下载次数: 59)
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