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这个过零检测电路能用吗?

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ID:218365 发表于 2018-6-10 21:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
这个过零检测不是真的过零,而是在电压最高点,但我觉得电路简单,可以通过延时控制可控硅的导通角
有个问题C5寿命如何,要用安规吗,如果坏了会短路吗,
R11有用吗,有用如何取值

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ID:123289 发表于 2018-6-14 06:08 | 显示全部楼层
这个电路几乎不能用。它没有解决好上电瞬间,对光藕的冲击问题。风险大。
需要稍加改进。原理上说得通。
C5通常应该用安规。
如果C5坏了,一定是先短后开。如温变内部挤压形变层间相短或相近,间距耐压不足,击穿,大电流大温升直至烧成开路才会停下来。
R11,可以影响到相位,但影响范围不宽。且不太靠谱。

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ID:341045 发表于 2018-6-15 01:19 | 显示全部楼层
这个电路是利用电容的容抗来限流的(可认为是恒流), 相当于电阻, 但不消耗功率, 所以不会发热. Xc=1/(2*3.14*f*c),市电频率50Hz, Xc = 31.8K欧, 限流大约6.9毫安(电压220V时), 所以基本是峰值光耦才导通(电压低点电流就不够了), 光耦一定要反向并个二极管(使交流形成回路, 你电路是加了的).R11保护光耦的.当光耦断开时R11端电压 V=220*R11/(31.8K+R11), 取R11=1K就好了(100K光耦开路时电压太高, 瞬间接入有可能击穿光耦). 电容C5耐压够就OK了, 很少坏了短路的(基本上开关电源的市电端都并一个0.1的电容的)

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ID:218365 发表于 2018-6-12 16:06 | 显示全部楼层
没人回答
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ID:155507 发表于 2018-6-12 23:06 | 显示全部楼层
温度变化不会导致明显的过零脉冲飘逸,但时间会,只是这个时间不短且是以极低的变化率渐变的,因为光耦会老化,灵敏度逐渐降低,但这种情况在要求不高时可以忽略。

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ID:287575 发表于 2018-6-13 00:27 | 显示全部楼层
不要电容,就用100k串联就可以取过零,过零时候,P3.3是高电平,其他时间是低电平
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ID:218365 发表于 2018-6-13 20:34 来自手机 | 显示全部楼层
angmall 发表于 2018-6-12 23:06
温度变化不会导致明显的过零脉冲飘逸,但时间会,只是这个时间不短且是以极低的变化率渐变的,因为光耦会老 ...

谢谢,谢谢,谢谢
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ID:218365 发表于 2018-6-14 17:36 | 显示全部楼层
zhangxiaozi 发表于 2018-6-13 00:27
不要电容,就用100k串联就可以取过零,过零时候,P3.3是高电平,其他时间是低电平

100K 电阻真的很热
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ID:218365 发表于 2018-6-14 19:57 | 显示全部楼层
yzwzfyz 发表于 2018-6-14 06:08
这个电路几乎不能用。它没有解决好上电瞬间,对光藕的冲击问题。风险大。
需要稍加改进。原理上说得通。
...



只用电容就是觉得不发热,没考虑到上电正好是电压尖峰时的电流
串个3K电阻,依然很热,就想不发热,所以用电容。
新手还望多指教
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ID:352199 发表于 2018-6-14 22:34 | 显示全部楼层
不要电容,就用100k串联就可以取过零,过零时候,P3.3是高电平,其他时间是低电平
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ID:218365 发表于 2018-6-14 22:35 | 显示全部楼层
zhangxiaozi 发表于 2018-6-13 00:27
不要电容,就用100k串联就可以取过零,过零时候,P3.3是高电平,其他时间是低电平

串联100K+200K就不那么热了,不知道对光耦有没有影响
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ID:349617 发表于 2018-6-15 11:41 | 显示全部楼层
其他人回答够多了,我想说CBB电容改为X电容,这样不存在风险。
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ID:218365 发表于 2018-6-15 15:41 | 显示全部楼层
6541sdf 发表于 2018-6-14 22:34
不要电容,就用100k串联就可以取过零,过零时候,P3.3是高电平,其他时间是低电平

300K电阻过零

300K电阻过零

我认为虽然串电阻,过零时是高电平,但单片机如果是上升沿中断是不是在电压高于2V就已经触发了
如果用下降沿,低于0.7V是不是已经过了真正零点了。

如果上面我说的对的话,和用电容限流的过零就没有区别了,都要靠延时来得到真正的零点
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ID:218365 发表于 2018-6-15 15:43 | 显示全部楼层
lzts88 发表于 2018-6-15 01:19
这个电路是利用电容的容抗来限流的(可认为是恒流), 相当于电阻, 但不消耗功率, 所以不会发热. Xc=1/(2*3.14 ...

这是个双向光耦,还需要并二极管或电阻吗

是不是如 yzwzfyz老师所说,这个电路缺个上电冲击保护
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ID:218365 发表于 2018-6-15 15:54 | 显示全部楼层
小李子铁头 发表于 2018-6-15 11:41
其他人回答够多了,我想说CBB电容改为X电容,这样不存在风险。

基础差,所以好多问题搞不明白

开始是用47K两个电阻限流,但是发热量大,后来用两个150K,基本不发热,但是用单片机下降沿中断,产生中断是在零点以后(2V以下)。

看别人帖子,用电容不发热,但yzwzfyz 老师说上电对光耦冲击较大,想不出好办法
还请多指教。
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ID:341045 发表于 2018-6-15 19:04 | 显示全部楼层
ZXHREG 发表于 2018-6-15 15:43
这是个双向光耦,还需要并二极管或电阻吗

是不是如 yzwzfyz老师所说,这个电路缺个上电冲击保护

双向光耦没用过, 用表测, 正反测量都通的就不用并二极管. R11改1K后就没冲击了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗分压最高也就7V这样,  R11你用100K和31K分压R11分160V这样肯定冲击)
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ID:111634 发表于 2018-6-15 22:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 zl2168 于 2018-6-15 22:43 编辑

给你介绍一个正确有效看得懂的案例
过零检测电路.jpg
晶闸管电流和控制极电压波形.jpg
微机控制晶闸管过零触发电路.jpg
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ID:349617 发表于 2018-7-12 10:03 | 显示全部楼层
lzts88 发表于 2018-6-15 19:04
双向光耦没用过, 用表测, 正反测量都通的就不用并二极管. R11改1K后就没冲击了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

在光耦发光二极管上并联电容,这样可以滤除尖峰脉冲,这样就可以减少对发光二极管的冲击,如果加二极管也可以,直接起到权位,

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ID:349617 发表于 2018-7-12 10:04 | 显示全部楼层
lzts88 发表于 2018-6-15 19:04
双向光耦没用过, 用表测, 正反测量都通的就不用并二极管. R11改1K后就没冲击了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

加电容需要调试,电容会有延时,

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ID:218365 发表于 2018-9-16 19:13 | 显示全部楼层
小李子铁头 发表于 2018-7-12 10:04
加电容需要调试,电容会有延时,

串电感行吗
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ID:491577 发表于 2019-3-15 16:58 | 显示全部楼层
电阻去掉不要,将二极管换成3.3V稳压管就行,稳压管正向压降0.7V相当于普通二极管,反向是3.3V稳压,不管电源方向如何都可以保护LED不被击穿。
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ID:483991 发表于 2019-3-15 18:13 | 显示全部楼层
这样玩是不行的,最起码也得双光藕,电路也较复杂,不过现在有双向可控硅,完全没必要这么整
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ID:491577 发表于 2019-3-16 10:48 | 显示全部楼层
这个电路很有实用价值,很适合单片机使用,检测点在最高点是没有问题的,主要是要准确,R11、C4会影响准确度要去除,将保护二极管换成稳压管可以完美保护光耦了(包括上电瞬间的冲击),C5电容630v耐压足够了,像电脑电源就在电源线接有一个0.1UF电容,这个电容是很耐用的。建议如下图电路:

过零检测.JPG
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ID:804228 发表于 2020-7-16 14:44 | 显示全部楼层
zhangxiaozi 发表于 2018-6-13 00:27
不要电容,就用100k串联就可以取过零,过零时候,P3.3是高电平,其他时间是低电平

你好,可以按照我的要求帮我设计一个电路板的pcb图纸吗?
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ID:332444 发表于 2020-7-17 07:26 | 显示全部楼层
摆渡过一个很巧妙的过零电路使用的都是普通的1/8元件,很多人认为该电路不能正常工作,但是它的巧妙就在其中能正常工作,以前回复过。
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ID:471889 发表于 2020-7-17 08:10 | 显示全部楼层
不能用!要用光偶做过零得两个,百度上大把例子!
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ID:332444 发表于 2020-7-17 08:45 | 显示全部楼层
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ID:420836 发表于 2020-7-17 10:09 | 显示全部楼层
高压侧电路有一些问题。 首先,必须准确计算C5电容器,以将电流限制在光耦合器的最大电流要求以下。 其次,您需要添加一个与电容器并联的放电电阻,这样在电源关闭时它将使电容器放电。 第三,为了安全起见,C5必须为X级,并且至少要承受400V击穿电压。
使用以下公式计算C5的电抗:X = 1 /(2 * 3.14 * f * C5),其中,f为频率50Hz。 因此,C5 = 1 /(2 * 3.14 * f * X),X由光耦合器的电流决定:I = 220V /(R11 + X),假设I = 10mA,则R11 + X = 22 kohm, 假设R11为1kohm,则X = 21kohm,C5 = 1 /(2 * 3.14 * 50 * 21000)〜= 0.15uF。 光耦合器上的电压为10mA * 1kohm = 10V。
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ID:714110 发表于 2020-7-17 10:47 | 显示全部楼层
这个电路几乎不能用。它没有解决好上电瞬间,对光藕的冲击问题。风险大。
需要稍加改进。原理上说得通。
C5通常应该用安规。
如果C5坏了,一定是先短后开。如温变内部挤压形变层间相短或相近,间距耐压不足,击穿,大电流大温升直至烧成开路才会停下来。
R11,可以影响到相位,但影响范围不宽。且不太靠谱。

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ID:731094 发表于 2020-10-14 16:05 | 显示全部楼层
51hei截图20201014160316.png
单片机对家用交流电过零同步可以用这个电路,过零高电平触发同步,我目前也是用这个电路,两个50K电阻用1/2W 以上的。
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