9月到10月参加了一下FPGA的笔试，总结了一些题目，总结的不多。望谅解
1、存储模块的工作原理及区别 （1）SRAM：一个SRAM单元通常由4-6只晶体管组成，当这个SRAM单元被赋予0或者1的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。 （2）DRAM： （3）EPROM：
（4）EEPROM： （5）NOR Flash 通过热电子注入方式给浮栅充电
（6）NAND Flash
通过F-N隧道效应给浮栅充电
区别：SRAM、DRAM与NAND FLASH、 NOR FLASSH的区别 SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓 冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多。数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 EPROM是通过 紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
2、setup time和hold time 建立时间（setup time）是指在触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间，如果建立时间不够，数据将不能在这个时钟上升沿打入触发器。 保持时间（hold time）是指在触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间，如果保持时间不够，数据同样不能被打入触发器。 分析setup time时用最大延时；分析hold time时用最小延时；
3、首先，我们要理解max，min的含义： 1. max：通常指foundry提供的db，lib中ss（worst）这种情况，即：工作电压最低，工作温度最高时的延时，我们也正是运用此corner来计算setup冗余，因为此时foundry提供的cell延时最大； 2. min：通常指foundry提供的db，lib中ff（best）这种情况，即：工作电压最高，工作温度最低时的延时，我们也正是运用此corner来计算hold冗余，因为此时foundry提供的cell延时最小； 3. 我们要知道setup，hold的含义（这里就不作赘述）。 4. 你要知道这些cell都是在相同电压和温度下工作的，所以，延时要是max就都是max，要min就都是min；所以我们运用max延时计算setup，运用min计算hold，明白这几点，你就知道为什么答案是正确的，你的计算方式是错误的。
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