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能不能一个单片机IO口同时控制三极管和MOS

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ID:709761 发表于 2022-6-29 14:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
三极管驱动继电器,MOS控制负载开关,用一个IO口同时打开
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ID:824490 发表于 2022-6-29 15:35 | 显示全部楼层
可以,但要做好缓冲量。不能直接把B极并在G极上
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ID:332444 发表于 2022-6-29 15:38 | 显示全部楼层
可以驱动继电器同时驱动光耦控制MOS,驱动三极管同时驱动低压MOS
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ID:1023753 发表于 2022-6-29 15:53 | 显示全部楼层
用两个光耦隔离  保险点
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ID:748788 发表于 2022-6-29 16:14 | 显示全部楼层
继电器有多触点的,应该可以满足你的需求
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ID:752974 发表于 2022-6-29 16:16 | 显示全部楼层
可以的,注意驱动电路符合要求就可。
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ID:342822 发表于 2022-6-29 16:36 | 显示全部楼层
32gif.gif 仿真一下,还可以。
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ID:16255 发表于 2022-6-29 19:15 | 显示全部楼层
可以的啊。IO口出来分两路,分别接限流电阻,再各自连接三极管和MOS管。
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ID:782419 发表于 2022-6-29 21:10 | 显示全部楼层
可以吧,一个IO同时驱动多个负载,并联驱动,只是中间是不是要加缓冲扩展一下IO的驱动能力。
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ID:405850 发表于 2022-6-29 21:23 | 显示全部楼层
单片机带光耦,光耦再带这两个就行了
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ID:883242 发表于 2022-6-30 01:47 | 显示全部楼层
什么叫负载开关?开关不是人手拨动得吗?什么时候可以用MOSFET驱动了?
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ID:143767 发表于 2022-7-1 18:36 | 显示全部楼层
可以的,但要处理好各个管子的接口电平,三极管0.5-0.7V导通,低压MOS管2.5V以上导通
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ID:329625 发表于 2022-7-1 19:27 | 显示全部楼层
可以,做好保护
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