本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:50 编辑
由于E2PROM的半导体工艺特性，对E2PROM的写入时间需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片内部设置了一个具有SRAM性质的输入缓冲器，称为页写缓冲器。CPU对该芯片写操作时，AT24Cxx系列芯片先将CPU输入的数据暂存在页写缓冲器内，然后，慢慢写入E2PROM中。因此，CPU对AT24Cxx系列E2PROM一次写入的字节数，受到该芯片页写缓冲器容量的限制。页写缓冲器的容量为16B，若CPU写入字节数超过芯片页写缓冲器容量，应在一页写完后，隔5～10ms重新启动一次写操作。
以上摘自张志良编著《80C51单片机实用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。
实验18 读写AT24C02
书中电路和程序设计有详细说明，程序语句条条有注解。
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