24c16与24c02的不同之处？我对24c16不是很懂。特别是页写

ID:105206 · 发表于 2017-4-6 16:26

各位大神，请发表一下你们对24c16与24c02的不同之处，我对24c16不是很懂。特别是页写。望大家发点干货出来支援支援。学习学习。谢谢！

ID:146949 · 发表于 2017-4-6 17:51

宏芯I2C调试工具
http://www.51hei.com/bbs/dpj-79714-1.html
(出处: 51黑电子论坛)
用这个软件看看吧，很直观

ID:111634 · 发表于 2017-4-6 18:12

本帖最后由 zl2168 于 2017-4-6 18:19 编辑

由于E2PROM的半导体工艺特性，对E2PROM的写入时间需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片内部设置了一个具有SRAM性质的输入缓冲器，称为页写缓冲器。CPU对该芯片写操作时，AT24Cxx系列芯片先将CPU输入的数据暂存在页写缓冲器内，然后，慢慢写入E2PROM中。因此，CPU对AT24Cxx系列E2PROM一次写入的字节数，受到该芯片页写缓冲器容量的限制。页写缓冲器的容量为16B，若CPU写入字节数超过芯片页写缓冲器容量，应在一页写完后，隔5～10ms重新启动一次写操作。
实例49 读写AT24C02
⒈AT24C02简介  …
⒉ 电路设计  …
⒊ 读/写AT24C02 N字节操作格式及程序  …
⑴ 写操作格式  …
⑵ 读操作格式  …
⒋ 程序设计  …
⒌ Keil调试  …
⒍ Proteus仿真
先Proteus仿真一下，确认有效。

实例49 读写IIC AT24C02.rar (38.96 KB, 下载次数: 44)

以上摘自张志良编著《单片机实验实训100例》 ISBN 978-7-5124-1603-1，北航社出版.。书中电路和程序设计有详细说明，程序语句条条有注解。

ID:111634 · 发表于 2017-4-6 18:20

本帖最后由 zl2168 于 2017-4-6 18:21 编辑

实例50 非零地址读写AT24C02
上节已提到AT24Cxx页写缓冲的特性，需要补充说明的是，一次写入AT24Cxx字节数不但不能超过芯片页写缓冲器容量，而且，若不是从页写缓冲器页内零地址0000写起，一次写入地址不能超出页内最大地址1111。例如，若从页内地址0000写起，一次最多可写16字节；若从页内地址0010写起，一次最多只能写16-2=14字节。若要写16字节，超出页内地址1111，将会引起地址翻卷，导致出错。因此，本例16字节从AT24C02 5BH开始写起，须分两次写入。第1次写0x5b～0x5f单元，第2次写0x60～0x62单元，中间还必须有页写延时。
先Proteus仿真一下，确认有效。

实例50 非零地址读写AT24C02.rar (39.09 KB, 下载次数: 29)

以上摘自张志良编著《单片机实验实训100例》 ISBN 978-7-5124-1603-1，北航社出版.。书中电路和程序设计有详细说明，程序语句条条有注解。

ID:123289 · 发表于 2017-4-6 19:02

如果楼主对24c02精通的话，何有这一问。即使有不同，在24c02的基础上，研读一下24c16手册也就OK了。

ID:105206 · 发表于 2017-4-7 11:30

以上谢谢各位大神的支持。学习了!

ID:340467 · 发表于 2018-5-29 11:35

zl2168 发表于 2017-4-6 18:20
实例50 非零地址读写AT24C02
上节已提到AT24Cxx页写缓冲的特性，需要补充说明的是，一次写入AT24Cxx字节 ...

从AT24C02 5BH开始写起，须分两次写入。第1次写0x5b～0x5f单元，第2次写0x60～0x62单元，
第1次写0x5b～0x5f单元，第2次写0x60～0x62单元，这句话咋理解

ID:111634 · 发表于 2018-5-29 22:29

1314520追风发表于 2018-5-29 11:35
从AT24C02 5BH开始写起，须分两次写入。第1次写0x5b～0x5f单元，第2次写0x60～0x62单元，
第1次写0x5b～ ...

前面的文字已给出解释。

ID:452731 · 发表于 2019-1-25 01:04

这个具有参考价值

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