这个电路几乎不能用。它没有解决好上电瞬间，对光藕的冲击问题。风险大。
需要稍加改进。原理上说得通。
C5通常应该用安规。
如果C5坏了，一定是先短后开。如温变内部挤压形变层间相短或相近，间距耐压不足，击穿，大电流大温升直至烧成开路才会停下来。
R11，可以影响到相位，但影响范围不宽。且不太靠谱。

这个电路是利用电容的容抗来限流的(可认为是恒流), 相当于电阻, 但不消耗功率, 所以不会发热. Xc=1/(2*3.14*f*c),市电频率50Hz, Xc = 31.8K欧, 限流大约6.9毫安(电压220V时), 所以基本是峰值光耦才导通(电压低点电流就不够了), 光耦一定要反向并个二极管(使交流形成回路, 你电路是加了的).R11保护光耦的.当光耦断开时R11端电压 V=220*R11/(31.8K+R11), 取R11=1K就好了(100K光耦开路时电压太高, 瞬间接入有可能击穿光耦). 电容C5耐压够就OK了, 很少坏了短路的(基本上开关电源的市电端都并一个0.1的电容的)

单片机对家用交流电过零同步可以用这个电路，过零高电平触发同步，我目前也是用这个电路，两个50K电阻用1/2W 以上的。

这个电路几乎不能用。它没有解决好上电瞬间，对光藕的冲击问题。风险大。
需要稍加改进。原理上说得通。
C5通常应该用安规。
如果C5坏了，一定是先短后开。如温变内部挤压形变层间相短或相近，间距耐压不足，击穿，大电流大温升直至烧成开路才会停下来。
R11，可以影响到相位，但影响范围不宽。且不太靠谱。

高压侧电路有一些问题。 首先，必须准确计算C5电容器，以将电流限制在光耦合器的最大电流要求以下。 其次，您需要添加一个与电容器并联的放电电阻，这样在电源关闭时它将使电容器放电。 第三，为了安全起见，C5必须为X级，并且至少要承受400V击穿电压。
使用以下公式计算C5的电抗：X = 1 /（2 * 3.14 * f * C5），其中，f为频率50Hz。 因此，C5 = 1 /（2 * 3.14 * f * X），X由光耦合器的电流决定：I = 220V /（R11 + X），假设I = 10mA，则R11 + X = 22 kohm， 假设R11为1kohm，则X = 21kohm，C5 = 1 /（2 * 3.14 * 50 * 21000）〜= 0.15uF。 光耦合器上的电压为10mA * 1kohm = 10V。

可参https://blog.csdn.net/xianfajushi/article/details/100553842

不能用！要用光偶做过零得两个，百度上大把例子！

摆渡过一个很巧妙的过零电路使用的都是普通的1/8元件，很多人认为该电路不能正常工作，但是它的巧妙就在其中能正常工作，以前回复过。

zhangxiaozi 发表于 2018-6-13 00:27
不要电容，就用100k串联就可以取过零，过零时候，P3.3是高电平，其他时间是低电平

你好，可以按照我的要求帮我设计一个电路板的pcb图纸吗？

这个电路很有实用价值，很适合单片机使用，检测点在最高点是没有问题的，主要是要准确，R11、C4会影响准确度要去除，将保护二极管换成稳压管可以完美保护光耦了（包括上电瞬间的冲击），C5电容630v耐压足够了，像电脑电源就在电源线接有一个0.1UF电容，这个电容是很耐用的。建议如下图电路：

这样玩是不行的，最起码也得双光藕，电路也较复杂，不过现在有双向可控硅，完全没必要这么整

电阻去掉不要，将二极管换成3.3V稳压管就行，稳压管正向压降0.7V相当于普通二极管，反向是3.3V稳压，不管电源方向如何都可以保护LED不被击穿。

小李子铁头 发表于 2018-7-12 10:04
加电容需要调试，电容会有延时，

串电感行吗

lzts88 发表于 2018-6-15 19:04
双向光耦没用过, 用表测, 正反测量都通的就不用并二极管. R11改1K后就没冲击了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

加电容需要调试，电容会有延时，

lzts88 发表于 2018-6-15 19:04
双向光耦没用过, 用表测, 正反测量都通的就不用并二极管. R11改1K后就没冲击了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

在光耦发光二极管上并联电容，这样可以滤除尖峰脉冲，这样就可以减少对发光二极管的冲击，如果加二极管也可以，直接起到权位，

给你介绍一个正确有效看得懂的案例

ZXHREG 发表于 2018-6-15 15:43
这是个双向光耦，还需要并二极管或电阻吗

是不是如 yzwzfyz老师所说，这个电路缺个上电冲击保护

双向光耦没用过, 用表测, 正反测量都通的就不用并二极管. R11改1K后就没冲击了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗分压最高也就7V这样,  R11你用100K和31K分压R11分160V这样肯定冲击)

小李子铁头 发表于 2018-6-15 11:41
其他人回答够多了，我想说CBB电容改为X电容，这样不存在风险。

基础差，所以好多问题搞不明白

开始是用47K两个电阻限流，但是发热量大，后来用两个150K，基本不发热，但是用单片机下降沿中断，产生中断是在零点以后（2V以下）。

看别人帖子，用电容不发热，但yzwzfyz 老师说上电对光耦冲击较大，想不出好办法
还请多指教。

lzts88 发表于 2018-6-15 01:19
这个电路是利用电容的容抗来限流的(可认为是恒流), 相当于电阻, 但不消耗功率, 所以不会发热. Xc=1/(2*3.14 ...

这是个双向光耦，还需要并二极管或电阻吗

是不是如 yzwzfyz老师所说，这个电路缺个上电冲击保护

其他人回答够多了，我想说CBB电容改为X电容，这样不存在风险。

zhangxiaozi 发表于 2018-6-13 00:27
不要电容，就用100k串联就可以取过零，过零时候，P3.3是高电平，其他时间是低电平

串联100K+200K就不那么热了，不知道对光耦有没有影响

不要电容，就用100k串联就可以取过零，过零时候，P3.3是高电平，其他时间是低电平

zhangxiaozi 发表于 2018-6-13 00:27
不要电容，就用100k串联就可以取过零，过零时候，P3.3是高电平，其他时间是低电平

100K 电阻真的很热

angmall 发表于 2018-6-12 23:06
温度变化不会导致明显的过零脉冲飘逸，但时间会，只是这个时间不短且是以极低的变化率渐变的，因为光耦会老 ...

谢谢，谢谢，谢谢

不要电容，就用100k串联就可以取过零，过零时候，P3.3是高电平，其他时间是低电平

温度变化不会导致明显的过零脉冲飘逸，但时间会，只是这个时间不短且是以极低的变化率渐变的，因为光耦会老化，灵敏度逐渐降低，但这种情况在要求不高时可以忽略。

没人回答