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i2c页写

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沙云123

发布时间: 2016-8-1 16:58

正文摘要:

前辈请教一下，for循环中是一下发送20字节？页写不是最多8字节？len=20

ID:1010435 发表于 2024-4-1 13:07

len一般是长度吧，看函数名应该是页写，但是可以一次写好几页吧。

ID:1114752 发表于 2024-3-30 10:27

哈喽，现在是2024年

ID:111634 发表于 2016-8-3 20:45

本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:51 编辑

而且，若不是从页写缓冲器页内零地址0000写起，一次写入地址超出页内最大地址1111时，也将出错。例如，若从页内地址0000写起，一次最多可写16字节；若从页内地址0010写起，一次最多只能写14字节，若要写16字节，超出页内地址1111，将会引起地址翻卷，导致出错。

以上摘自张志良编著《80C51单片机实用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

实验18 读写AT24C02

书中电路和程序设计有详细说明，程序语句条条有注解。

欢迎咨询，zzlls@126.com

ID:111634 发表于 2016-8-3 20:44

本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:50 编辑

由于E2PROM的半导体工艺特性，对E2PROM的写入时间需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片内部设置了一个具有SRAM性质的输入缓冲器，称为页写缓冲器。CPU对该芯片写操作时，AT24Cxx系列芯片先将CPU输入的数据暂存在页写缓冲器内，然后，慢慢写入E2PROM中。因此，CPU对AT24Cxx系列E2PROM一次写入的字节数，受到该芯片页写缓冲器容量的限制。页写缓冲器的容量为16B，若CPU写入字节数超过芯片页写缓冲器容量，应在一页写完后，隔5～10ms重新启动一次写操作。

以上摘自张志良编著《80C51单片机实用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

实验18 读写AT24C02

书中电路和程序设计有详细说明，程序语句条条有注解。

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ID:135854 发表于 2016-8-3 10:20

可以是20字节啊，你只有在写FLASH的时候有页的划分

ID:123289 发表于 2016-8-2 23:16

页的定义在不同的环境（IC不同，协议不同，等等……）下是不同的，所以不确定。

ID:60379 发表于 2016-8-1 20:26

不知道问什么

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