LM386中文资料电路图及引脚封装图

ID:90014 · 发表于 2015-9-16 00:19

是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。

图1. 内部电路图

图2 引脚功能图

极限参数：
电源电压
（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V
电源电压（LM386N-4）22V
封装耗散
（LM386N）1.25W
（LM386M）0.73W
（LM386MM-1）0.595W
输入电压±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度0℃至+70℃
结温+150℃

焊接信息
焊接（10秒）260℃
小外形封装（SOIC和MSOP）
气相（60秒）215℃
红外（15秒）220℃

热电阻
qJC （DIP）37℃/W
qJA （DIP）107℃/W
qJC （SO封装）35℃/W
qJA （SO封装）172℃/W
qJA （MSOP封装）210℃/W
qJC （MSOP封装）56℃/W

表1. LM386电气特性

Parameter 参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压	-	-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1		4	-	12	V
LM386N-4		5	-	18	V
Quiescent Current (IQ) 静态电流	VS = 6V, VIN =0		4	8	mA
Output Power (POUT) 输出功率	-	-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1	VS = 6V, RL =8W, THD = 10%	250	325	-	mW
LM386N-3	VS = 9V, RL =8W, THD = 10%	500	700	-	mW
LM386N-4	VS=16V, RL =32W, THD = 10%	700	1000	-	mW
Voltage Gain (AV) 电压增益	VS = 6V, f = 1 kHz		26	-	dB
Voltage Gain (AV) 电压增益	10 μF from Pin 1 to 8		46	-	dB
Bandwidth (BW) 宽带	VS = 6V, Pins 1 and 8 Open		300	-	kHz
Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失真	VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open	-	0.2	-	%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比	VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output	-	50	-	dB
Input Resistance (RIN) 输入电阻	-	-	50	-	kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流	VS = 6V, Pins 2 and 3 Open	-	250	-	nA