单片机可控硅移相控制交流电原理带源程序

ID:37147 · 发表于 2017-5-22 11:36

利用业余时间，研究出来的移相控制技术，若有不对的地方，还请大家指出。

可控硅移相控制交流电原理：
工作原理：我们知道220V市电的频率是50HZ，周期就是20ms,上下半波各占10ms，所以我们想对交流电进行控制的话，
在交流电每次过零点的时候，在0-10ms之间内做个延时，比如在交流每次过零点后延时3ms，3ms后触发可控硅的导通就行。
改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。

本电路有2种触发方式，一种利用RC充放电实现的控制，这种控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制，使可控硅工作在1、3象限。
可控硅三、四象限.png

单片机最好选用外部中断带上下沿同时触发中断功能的单片机。以配合过零检测电路使用。当然只有选择只带下降沿的也行，但是程序要写好。
本程序无需更改，均适用这2个触发控制电路

电路原理图：

过零检测波形：

Altium Designer画的原理图如下：(51hei附件中可下载工程文件)

单片机驱动可控硅（带过零检测）源程序如下:
STC15W408AS外部中断上下沿均可测试

#include <STC15F2K60S2.H> //STC15系列单片机头文件都是这个。
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uchar num=0;
sbit pwm=P1^1;//可控硅位
void main()
{
TMOD=0x01;
TH0=0xff;//定时0.1ms
TL0=0x9c;
EA=1;
ET0=1;
EX0=1;
IT0=0;//必须设外部中断触发方式为上升沿下降沿同时触发。STC最新15系列单片机外部中断INT0口有上下沿同时触发功能
pwm=1;
while(1);
}
void t0() interrupt 1
{
unsigned char i;
TH0=0xff;
TL0=0x9c;
num++;
if(num==30) //改变num的值即可改变移相触发时间，即改变负载功率大小。num的范围：0<num<100
{
TR0=0;
pwm=0; //触发MOC3021导通，即触发可控硅导通
for(i=0;i<2;i++);//延时2us
pwm=1; //延时2us之后，关掉脉冲输出，因为可控硅在非过零点情况下触发信号丢失，会继续保持导通。
……………………
…………限于本文篇幅余下代码请从51黑下载附件…………

复制代码

所有资料51hei提供下载（详细教程与源码还附带一些网上搜集的相关资料方便大家）:

可控硅移相控制原理.zip (614.76 KB, 下载次数: 906)

ID:1 · 发表于 2017-5-22 16:38

好资料，51黑有你更精彩!!!

ID:207116 · 发表于 2017-6-2 16:10

那么如何有个问题，正负半周切的角度可能大小不一样，因为真实的器件是有差异的

ID:169021 · 发表于 2017-6-3 02:29

以前研究过单片机连可控硅移相控制白炽灯，老是闪，很久都没有搞定，看了楼主的文章真是一下就豁然开朗啊，大赞一个.

ID:33544 · 发表于 2017-6-9 14:54

　好资料，51黑有你更精彩!!!

ID:97956 · 发表于 2017-9-17 09:25

谢谢~！

ID:170318 · 发表于 2017-9-22 08:20

谢谢，下来学习

ID:164988 · 发表于 2017-9-22 15:12

楼主威武，先谢谢分享，再下载学习。赞！

ID:158375 · 发表于 2017-9-23 08:39

怎么一部分是阻容隔离LN,你也太胆肥了吧

ID:203085 · 发表于 2017-10-23 11:09

正好需要这个控制电路，还有程序做参考。

ID:147195 · 发表于 2017-10-23 11:42

过零检测部分用变压器隔离就好了，安全

ID:242046 · 发表于 2017-10-23 11:47

好资料学习了

ID:251484 · 发表于 2017-11-20 16:20

感谢拿走研究下

ID:257033 · 发表于 2017-12-4 08:42

谢谢了下载看看

ID:257033 · 发表于 2017-12-4 08:49

资料不错，可惜不能下载

ID:37147 · 发表于 2018-4-19 20:45

笨笨兔发表于 2017-9-23 08:39
怎么一部分是阻容隔离LN,你也太胆肥了吧

纯属为了实验，主要目的是用单片机进行移相控制，

ID:37147 · 发表于 2018-4-19 20:45

pdjxck 发表于 2017-10-23 11:42
过零检测部分用变压器隔离就好了，安全

嗯嗯我这只是实验，主要目的是测试单片机移相控制交流电

ID:331575 · 发表于 2018-5-23 22:22

谢谢分享，楼主，最近一直想做关于交流调速的实验，真的是找的好辛苦

ID:287575 · 发表于 2018-5-23 23:48

改电路只能用于仿真和实验而已，用在实际应用中不可能工作

ID:64253 · 发表于 2018-7-13 13:59

一直在找这样的帖子，学习下

ID:398621 · 发表于 2018-9-16 13:24

不错的帖子学习一下

ID:183811 · 发表于 2018-9-29 14:38

看一下

ID:277063 · 发表于 2018-10-25 09:32

好资料，51黑有你更精彩!!!

ID:199351 · 发表于 2018-11-23 22:32

需要通过调相法来决定负载的等效供电电压的话，就必须使用非过零型光耦如MOC3022，这时需要一个交流过零检测电路，根据过零检测电路的输出来确定驱动光耦的定时起点。

ID:458977 · 发表于 2018-12-31 15:01

感谢分享

ID:458534 · 发表于 2019-1-1 10:34

谢谢楼主分享，元旦快乐哈

ID:222949 · 发表于 2019-1-7 12:35

谢谢，不错的帖子学习一下

ID:207116 · 发表于 2019-1-8 09:45

整个思路和我现在做的调光器不谋而合，你这个原理是可控硅前切相调压。现在做LED的用后切的比较好。

ID:425460 · 发表于 2019-1-19 21:43

感谢！非常好！

ID:474367 · 发表于 2019-1-31 17:05

这里用MOC3041这种带过零检测的光耦是不是就有问题了？

ID:37147 · 发表于 2019-3-6 15:00

evechacha 发表于 2019-1-31 17:05
这里用MOC3041这种带过零检测的光耦是不是就有问题了？

你说什么问题

ID:490721 · 发表于 2019-3-14 14:52

感谢！非常好！

ID:403593 · 发表于 2019-3-14 20:45

感谢楼主分享，正好想做一个玩玩

ID:470155 · 发表于 2019-4-16 10:43

为什么要在可控硅那加一个330的电阻

ID:515149 · 发表于 2019-5-28 13:40

赞一个

ID:282850 · 发表于 2019-5-28 14:26

一如即往，对文字部分有兴趣，但电路问题很多，
1、移相部分高压、低压没有隔离；
2、触发部分不相信在某象限可以高压、低压不隔离；
精神可嘉，做为研究可以，但单片机+可控硅，有点复杂化。原以为是ABC三相移相。

ID:56665 · 发表于 2019-5-28 15:02

谢谢分享！

ID:386691 · 发表于 2019-5-31 10:49

很不错的资料，谢谢！

ID:65956 · 发表于 2019-6-3 17:25

这样的过零检测电路风险太大，只要三极管击穿，单片机很容易烧，建议接L的1M电阻用多个电阻串联代替，或用光耦隔离，形成单片机完全可隔离方案更佳

ID:390082 · 发表于 2019-9-4 08:28

有三相的相序检测方面的吗？

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