单片机可控硅移相控制交流电原理带源程序

ID:37147 · 发表于 2017-5-22 11:36

利用业余时间，研究出来的移相控制技术，若有不对的地方，还请大家指出。

可控硅移相控制交流电原理：
工作原理：我们知道220V市电的频率是50HZ，周期就是20ms,上下半波各占10ms，所以我们想对交流电进行控制的话，
在交流电每次过零点的时候，在0-10ms之间内做个延时，比如在交流每次过零点后延时3ms，3ms后触发可控硅的导通就行。
改变延时的时间即可改变负载得到的电压大小。

本电路有2种触发方式，一种利用RC充放电实现的控制，这种控制是使可控硅工作在2、3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制，使可控硅工作在1、3象限。
可控硅三、四象限.png

单片机最好选用外部中断带上下沿同时触发中断功能的单片机。以配合过零检测电路使用。当然只有选择只带下降沿的也行，但是程序要写好。
本程序无需更改，均适用这2个触发控制电路

电路原理图：

过零检测波形：

Altium Designer画的原理图如下：(51hei附件中可下载工程文件)

单片机驱动可控硅（带过零检测）源程序如下:
STC15W408AS外部中断上下沿均可测试

#include <STC15F2K60S2.H> //STC15系列单片机头文件都是这个。
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uchar num=0;
sbit pwm=P1^1;//可控硅位
void main()
{
TMOD=0x01;
TH0=0xff;//定时0.1ms
TL0=0x9c;
EA=1;
ET0=1;
EX0=1;
IT0=0;//必须设外部中断触发方式为上升沿下降沿同时触发。STC最新15系列单片机外部中断INT0口有上下沿同时触发功能
pwm=1;
while(1);
}
void t0() interrupt 1
{
unsigned char i;
TH0=0xff;
TL0=0x9c;
num++;
if(num==30) //改变num的值即可改变移相触发时间，即改变负载功率大小。num的范围：0<num<100
{
TR0=0;
pwm=0; //触发MOC3021导通，即触发可控硅导通
for(i=0;i<2;i++);//延时2us
pwm=1; //延时2us之后，关掉脉冲输出，因为可控硅在非过零点情况下触发信号丢失，会继续保持导通。
……………………
…………限于本文篇幅余下代码请从51黑下载附件…………

复制代码

所有资料51hei提供下载（详细教程与源码还附带一些网上搜集的相关资料方便大家）:

可控硅移相控制原理.zip (614.76 KB, 下载次数: 954)

ID:1127390 · 发表于 2024-12-3 08:32

学习一下！

ID:1017706 · 发表于 2024-11-25 15:16

这个是不是可以应用在电风扇上面？

ID:1017706 · 发表于 2024-11-25 15:15

这个是不是可以应用的电风扇上面

ID:884031 · 发表于 2024-5-17 22:32

谢谢提供，刚好想用单片机控制电烙铁

ID:1030163 · 发表于 2024-5-12 10:38

谢谢分享，学到了很多东西！

ID:1064915 · 发表于 2024-3-29 11:48

双向可控硅开启的条件为：双向可控硅第一阳极T1与第二阳极T2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极T1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
双向可控硅关闭的条件为：双向可控硅一旦导通，即使失去G极触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极T1、第二阳极T2电流减小，小于维持电流或T1、T2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
在其电特性参数中可以看到门极触发电流、触发电压分了I、II、III、IV，这里引入了一个概念，双向可控硅按其门极G与控制极T2的电压正负关系(即VGT1的电压正负，VT2T1的电压正负)，分为三象限可控硅和四象限可控硅：

由于生产工艺等问题使可控硅第四象限需要的触发电流较大，以及容易误触发等原因，三象限可控硅是四象限可控硅的优化产品，所以直接将第四象限给屏蔽了

ID:257033 · 发表于 2024-3-29 09:19

gongzhu 发表于 2024-3-13 13:34
本来就有降压变压器了，为何过零不从低压端取？

没有变压器，应该是5V开关电源

ID:910662 · 发表于 2024-3-19 08:30

输出只是半波吧，因为过零信号只取了一半，怎么没有人发现？

ID:90212 · 发表于 2024-3-13 13:34

本来就有降压变压器了，为何过零不从低压端取？

ID:34149 · 发表于 2023-6-28 11:13

挺好的！原理分析透彻

ID:1063561 · 发表于 2023-6-25 16:19

下来学习一下。51黑有你很精彩!!!

ID:161722 · 发表于 2023-6-18 00:01

感謝分享，正好要用到可控硅，學習一下

ID:201160 · 发表于 2023-2-24 21:27

51很少出控制交流的文章了，比如交流电机，变频电机NTC，顶你

ID:1054507 · 发表于 2022-12-11 15:43

好评,学习了

ID:462629 · 发表于 2022-3-6 23:08

有3相实用的电路吗

ID:129023 · 发表于 2021-10-12 08:41

好办法，好资料

ID:97678 · 发表于 2021-8-12 09:33

我用于驱动单相电机时候，启动的时候，电机噪音很大，是什么原因？可以解决吗？

ID:941265 · 发表于 2021-8-10 16:01

好资料，51黑有你更精彩!!!

ID:416382 · 发表于 2021-8-10 12:43

yanstay 发表于 2019-9-4 08:28
有三相的相序检测方面的吗？

应该和这个差不多加两个中断吧

ID:416382 · 发表于 2021-8-10 12:42

三相的道理应该差不多

ID:902111 · 发表于 2021-4-7 21:23

好评，帮顶，学习了

ID:285514 · 发表于 2020-12-13 14:40

好资料问题一直困扰啊终于找到了

ID:725855 · 发表于 2020-4-9 21:31

不错的资料

ID:499088 · 发表于 2020-2-7 14:22

以前做过三相电镀电源的触发板。现在都是高频电源了。

ID:46228 · 发表于 2020-2-6 10:00

好资料，51黑有你更精彩!!!

ID:347196 · 发表于 2020-1-14 18:44

谢谢，不错的帖子学习一下！

ID:97678 · 发表于 2020-1-13 11:35

看看，学习一下。

ID:684386 · 发表于 2020-1-13 08:41

学习了

ID:455872 · 发表于 2019-12-3 10:58

资料挺好，对于刚接触可控硅的小白挺合适。

ID:285863 · 发表于 2019-11-5 19:35

好资料，51黑有你更精彩!!!

ID:636107 · 发表于 2019-11-5 16:42

谢谢超级棒

ID:390082 · 发表于 2019-9-4 08:28

有三相的相序检测方面的吗？

ID:65956 · 发表于 2019-6-3 17:25

这样的过零检测电路风险太大，只要三极管击穿，单片机很容易烧，建议接L的1M电阻用多个电阻串联代替，或用光耦隔离，形成单片机完全可隔离方案更佳

ID:386691 · 发表于 2019-5-31 10:49

很不错的资料，谢谢！

ID:56665 · 发表于 2019-5-28 15:02

谢谢分享！

ID:282850 · 发表于 2019-5-28 14:26

一如即往，对文字部分有兴趣，但电路问题很多，
1、移相部分高压、低压没有隔离；
2、触发部分不相信在某象限可以高压、低压不隔离；
精神可嘉，做为研究可以，但单片机+可控硅，有点复杂化。原以为是ABC三相移相。

ID:515149 · 发表于 2019-5-28 13:40

赞一个

ID:470155 · 发表于 2019-4-16 10:43

为什么要在可控硅那加一个330的电阻

ID:403593 · 发表于 2019-3-14 20:45

感谢楼主分享，正好想做一个玩玩

ID:490721 · 发表于 2019-3-14 14:52

感谢！非常好！

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