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             GD32F205RCT6是基于Cortex M3内核32bit(位)通用型MUC产品,主频为120MHz, 片内闪存(Flash) 最大为256KB, RAM最大为128KB, 供电电压范围为2.6V-3.6V,内核的供电电压为1 .2V, l/O口可承受5V电平,内嵌实时时钟(RTC) 和2个看门狗(WDG), 集成了丰富的外设功能,这款单片机GD32F205RCT6面向工业和消费类嵌入式应用,适用于工业自动化、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居家电及物联网等,  

      单片机GD32F205RCT6内置SRAM为128KB的内存,但在面对实际上的应用设计中,如果出现单片机内置SRAM内存不够的情况,大部分设计人员会考虑外扩SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在读写限制的问题,确实是考虑外扩内存的首选,但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚,给MCU无形中带来了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源,相对来说更好,串行SRAM只需要八个管脚,SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积,

      GD32F205RCT6这款MCU是支持SPI接口的,并且有三个SPI,可以通过用SPI接口外扩串行SRAM对单片机进行内存的拓展。串行SRAM其实严格来说是一种伪静态SRAM,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一种具有SRAM接口协议(无需刷新,无需DRAM控制器)、具有DRAM单管存储结构的存储器,比SRAM容量大很多,价格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失为外扩单片机内存的一种解决方案。


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沙发
ID:273087 发表于 2018-11-21 16:58 | 只看该作者
大部分设计人员会考虑外扩SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在读写限制的问题,确实是考虑外扩内存的首选,但如果采用并口外扩内存需要较多的MCU管脚,给MCU无形中带来了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作为单片机外扩的资源,相对来说更好,串行SRAM只需要八个管脚,SOP-8的封装可以让PCBA减少一定的面板面积,
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板凳
ID:273087 发表于 2019-6-11 10:46 | 只看该作者
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