AT45DB161D AT45DB041B引脚图及各种封装图：
AT45DB161D AT45DB041B电路图：
AT45DB161D-TI pdf中文资料及51 stm32 msp430等单片机的驱动程序下载：http://www.51hei.com/bbs/dpj-30019-1.html
以下是关于此芯片的调试资料：
在一款电子产品中有单片机 STR715FR0T6 ， 存储器 AT45DB161D-TI ，铁电 FM25CL04-S ，看门狗 SP706TEN，5V转3.3V芯片 AAT3221A-3.3 。
其中 STR715FR0T6 的1脚和2脚 为串口 接 485。
在测试中发现232转485工装无法对单片机 STR715FR0T6下发和接受。但是主程序可以通过JTAG口下载。运行灯也正常。
用仿真软件 发现 铁电里无数据。
检查到：存储器 AT45DB161D-TI 的CS脚和单片机 STR715FR0T6 的65脚 断开。
补线后发现运行灯不亮，说明数据已破坏。重新下载主程序后正常运行。485也正常。问题解决。
原来是存储器 AT45DB161D-TI 的片选信号控制。
AT45DB161D-TI 的11 CS ，12 SLK ，13 SI ，14 SO ，
AT45DB161D可通过片选引脚（/CS）使能，并通过3-wire接口访问，3-wire由串行输入（SI），串行输出（SO），和串行时钟（SCK）组成。
1 RDY 2 RESET 3 WP 是低电平有效，我们使用时接高电平。6脚接VCC，7脚接GND。
【以下是参考资料】
AT45DB161的AT45DB161D版：
单独2.5V至3.6V或者2.7V至3.6V工作电压
RapidS串行接口：66 MHz最小时钟频率
SPI兼容模式 0 和 3
用户自定义页面大小
512 字节每页
528 字节每页
页面大小可出厂预设为512字节
页编程操作
智能编程操作
4,096 页(512/528 字节/页)主存储器
灵活的擦除选项
页擦除(512 Bytes)
块擦除(4 Kbytes)
扇区擦除(128 Kbytes)
片擦除(16 Mbits)
2个SRAM数据缓冲区(512/528 字节)
在对FLASH阵列重新编程时允许接收数据
通过整体阵列可连续读取
代码映射应用的理想选择
低功耗
7 mA 典型有效读取电流
25 μA典型待机电流
9 μA 典型掉电模式电流
硬件和软件数据保护特性
独立扇区
扇区锁定，用于代码安全和数据存储
独立扇区
安全性：128字节安全寄存器
64字节用户可编程空间
唯一的64字节设备标识符
JEDEC标准的制造商和器件ID标识
每页编程/擦除周期最小100,000次
数据保存-20年
工业级温度范围
可选绿色环保(Pb/Halide-free/RoHS 认证)封装