/*74HC595是硅结构的CMOS器件, 兼容低电压TTL电路,遵守JEDEC标准。 74HC595是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。 移位寄存器和存储器是分别的时钟。时钟线sck在上升沿将数据输入(即由低电平编导高电平), 数据在si的上升沿输入,在si的上升沿进入到存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起,则 移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。 移位寄存器有一个串行移位输入(Ds), 和一个串行输出(Q7’),和一个异步的低电平复位,存储寄存器有一个并行8位的, 具备三态的总线输出,当使能OE时(为低电平),存储寄存器的数据输出到总线。 8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器,具有高阻关断状态。 */ #include<reg52.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char sbit rck=P0^0;//对输出存储器锁存时钟线的位定义 sbit sck=P0^1;//对数据输入时钟线的位定义 sbit si=P0^2;//对数据线的位定义 uchar code num[]={0x80,0xed,0x42,0x48,0x2c,0x18,0x10,0xcc,0x00,0x08};//0~9的数字显示 void delay(uint time)//延时函数 { while(--time); } void write_date(uchar temp)//移位寄存器 { uint i; for(i=0;i<8;i++) { temp>>=1;//把输进来的8位数据右移一位,从而最右端的一位溢出 sck=0;//输入时钟位低电平 si=CY;//把移位溢出来的数据赋给最高位 sck=1;//输入时钟位高电平 } } void main()//主函数 { uint i,j; for(i=0;i<10;i++) for(j=0;j<10;j++) { write_date(num[i]); write_date(num[j]); rck=0;//数据线低电平 rck=1;//数据线高电平 delay(100000);//调用延时函数,使时间变长 } }