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写在前面：一个三极管经常犯晕现在整理一下,三极管虽然只有寥寥三个引脚，但由于其品种多，各型号的管脚排序不同，设计电路时经常出错。那么画图时应该注意些什么呢？
一、.注意原理图管脚序号与名称的对应关系
protel 99SE的miscillanious device.lib库给出的通用NPN和PNP三极管，其管脚名称和序号的对应关系为：NPN: b1,c2,e3；PNP：b1,c3,e2 。注意它们的区别。
二、.注意实物管脚序号与名称的对应关系
1、NPN 三极管 9013 其TOP VIEW 的管脚名称自左至右是：e、b、c，为了与原理图一致，画PCB封装时其管脚序号自左至右应该为3、1、2；
2、NPN 三极管 3DA87，其top view自突出标志始，逆时针看管脚名称分别为：e、b、c,为了与原理图一致，画PCB封装时，其管脚序号按同样的方法应为：3、1、2；
3、NPN型三极管8050，其TO-92A封装的top view的管脚名称自左至右是e、b、c，为了与原理图一致，画PCB封装时其管脚序号自左至右应该为3、1、2；其SOT-23贴片封装top view左上、左下、右分别为b、c、e，故该封装左上、左下、右各管脚排序应该是1、2、3。
4、PNP 三极管 A1013，其top view的管脚名称自左至右是e、c、b,为了与原理图一致，画PCB封装时其管脚序号自左至右应该为2、3、1；
5、 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示：
三极管引脚图 1：e 2：b 3：c
三、三极管管脚判断
当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。非9014,9013系列三极管管脚识别方法：
(a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
四、三极管好坏判断
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。）
五、主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详如下描述：
90系列三极管参数
90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流0.03A
耗散功率 0.4W
结温150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构：PNP
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流0.5A
耗散功率 0.625W
结温150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构：NPN
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流0.5A
耗散功率 0.625W
结温150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构：NPN
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流0.1A
耗散功率 0.4W
结温150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构：PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流0.1A
耗散功率 0.45W
结温150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构：NPN
集电极-发射极电压 20V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流0.025A
耗散功率 0.4W
结温150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构：NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极电流0.05A
耗散功率 0.4W
结温150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对。
主要用途：
开关应用
射频放大
三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。
8050三级管参数：类型：开关型； 极性：NPN；材料：硅；最大集存器电流(A)：0.5 A； 直流电增益：10 to 60； 功耗：625 mW； 最大集存器发射电（VCEO）：25；频率：150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550 参数：
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300
8050SS 8550SS 参数：
耗散功率： 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3：300-400
引脚排列有EBC ECB两种
SS8050 SS8550 参数：
耗散功率：1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300
引脚排列多为EBC
UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数：
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档
C：120-200 D：160-300 E：280-400
NEC的8050
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益：10 to 60；
功耗：625 mW；
最大集电极-发射极电压（VCEO）：25；
频率：150 MHz 。
其它的8050
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K。
六、值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter, E）、基极（base, B）和集电极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中 性的p型区和n型区隔开。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基 极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形 下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时， 会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入 射极的电子流InB E（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB E在射极与与电 洞复合，即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a)中看出。
射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。下面在介绍完三极管的电流电压特性后，会再仔细讨论三极管的用途。
编辑本段三极管的工作原理
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。
编辑本段三极管放大电路
三极管工作状态有三种，放大、饱和、截止，其中又以放大状态最为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三极管放大电路形式有：共发射极放大电路，共集电极放大电路，共基极放大电路三种，其中共集电路用于电流放大（功率放大），共基电路用于高频放大，共射电路用于低频放大。 三极管放大电路包含静态参数和动态参数两大类，静态参数又称静态工作点，是保证三极管正常工作的基础，意义是在输入条件为零时，晶体管的基极电流Ib，集电极电流Ic，be极之间的电压Ubc，管压降Uceq。当有输入信号时，晶体管呈现的输入电阻Ri，输出电阻Ro，电压增益Au等参数被称为动态参数。另外还有一类参数被称为放大电路频率特性参数，主要包括放大电路的低频端截止频率，高频端截止频率，通频带，增益平坦度，幅（度）频（率）特性曲线等。
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