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MOS管驱动芯片IR2110资料

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ID:105323 发表于 2016-2-13 00:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
IR2110采用CMOS工艺制作,逻辑电源电压范围为5V~20V,适应TTL 或CMOS逻辑信号输入,具有独立的高端和低端2个输出通道。由于逻辑信号均通 过电平耦合电路连接到各自的通道上,容许逻辑电路参考地(VSS)与功率电路参考地(COM)之间有-5V和+5V的偏移量,并且能屏蔽小于50ns的脉冲这样有较理想的抗噪声效果。采用CMOS施密特触发输入,以提高电路抗干扰能力。采用DIP14封装形式,芯片引脚输出如图所示。


  引脚1和7是两路独立的输出,分别是LO(低端输出)和HO(高端输出),引脚3和6分别是VCC(低端电源电压)和VB(高端浮置电源电压),引脚9(VDD)是逻辑电路电源电压,引脚2(COM)是低端电源公共端,引脚5和13分别是vs(高端浮置电源公共端)和vss(逻辑电路接地端),引脚10(HIN)是逻辑输入控制端,引脚11(SD)是输入关闭端,引脚12(LIN)是低端逻辑输入。


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