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8051单片机操作K9KF5608 FLASH存储器程序

作者:佚名   来源:本站原创   点击数:  更新时间:2013年11月01日   【字体:

//-----------------------函数声明,变量定义--------------------------------------------------------
#include <reg51.h>
#include <stdio.h>
#include <intrins.h>
#include <reg51.h>
sbit FLASH_CLE=P1^0;
sbit FLASH_ALE=P1^1;
sbit FLASH_WE=P1^2;
sbit FLASH_WP=P1^3;
sbit FLASH_CE=P1^4;
sbit FLASH_RD=P1^5;
sbit FLASH_RB=P1^6;
void WriteCommand(unsigned char command);
void WriteAddress(
unsigned char H_ADR, //A16~A23 列地址
unsigned char M_ADR, //A8~A15
unsigned char L_ADR //A0~A7 行地址
);
void WRITEBYTE(unsigned char Wdata); //写一个数据到FLASH
unsigned char READBYTE(); //从FLSAH读一个数据
void REC_data_process(unsigned char Rdata); //接收数据处理,读一页时,每读一次处理一次
void READ_onepage1(); //连续读一页数据(528字节)
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
// 函数名称: WriteCommand
// 入口参数: command命令字
// 函数功能: 写命令字,开始各种操作
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
void WriteCommand(unsigned char command)
{
FLASH_ALE=0;
FLASH_CE=0;
FLASH_CLE=1;
FLASH_WE=0;
P0=command;
FLASH_WE=1;
FLASH_CLE=0;
FLASH_ALE=1;
}
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
// 函数名称: WriteAddress
// 入口参数: H_ADR,M_ADR,L_ADR 行列地址
// 函数功能: 写地址
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
void WriteAddress(
unsigned char H_ADR, //A16~A23 列地址
unsigned char M_ADR, //A8~A15
unsigned char L_ADR //A0~A7 行地址
)
{
FLASH_WE=1;
FLASH_CE=0;
FLASH_CLE=0;
FLASH_ALE=1;
FLASH_WE=0;
P0=L_ADR;
FLASH_WE=1;
_nop_();
FLASH_WE=0;
P0=M_ADR;
FLASH_WE=1;
_nop_();
FLASH_WE=0;
P0=H_ADR;
FLASH_WE=1;
_nop_();
FLASH_ALE=0;
}
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
// 函数名称: WRITEBYTE
// 入口参数: Wdata要写入 FLASH的数据
// 函数功能: 写一个数据到FLASH
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
void WRITEBYTE(unsigned char Wdata) //写一个数据到FLASH
{
FLASH_WE=1;
FLASH_CLE=0;
FLASH_CE=0;
FLASH_ALE=0;
FLASH_WE=0;
_nop_();
P0=Wdata;
_nop_();
FLASH_WE=1;
}
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
// 函数名称: READBYTE
// 出口参数: Rdata从FLASH读出的数据
// 函数功能: 从FLSAH读一个数据
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
unsigned char READBYTE() //从FLSAH读一个数据
{
unsigned char Rdata;
FLASH_WE=1;
FLASH_CLE=0;
FLASH_ALE=0;
FLASH_CE=0;
FLASH_RD=0; //准备好读入
_nop_();
_nop_();
while(!FLASH_RB)//当读信号无效时,等待
{
}
Rdata=P0; //把P0口读出的值存入ACC寄存器
//插入2个机器周期
_nop_();
_nop_();
FLASH_RD=1; //不再读入
return(Rdata);
}
unsigned char READ_Status()
{
unsigned char Status;
WriteCommand(0x70);
Status=READBYTE();
return(Status);
}
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
// 函数名称: READ_onepage1
// 调用函数: WriteCommand
// WriteAddress
// REC_data_process();每接收一个数据,处理
// 函数功能: 连续读一页数据(528字节)
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
void READ_onepage1() //连续读一页数据(528字节)
{
unsigned char d=528;
unsigned char Rec_data;
WriteCommand(0x00); //写读的命令0x00或0x01
WriteAddress(0x00,0x00,0x00); //写读的地址
while(d>0)
{
Rec_data=READBYTE();
REC_data_process(Rec_data);
d--;
}
FLASH_CE=1;
}
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
// 函数名称: REC_data_process
// 入口参数: Rdata按页读时,每次读回的数据
// 函数功能:接收数据处理,读一页时,每读一次处理一次
//--------------------------------------------------------------------------------------------------
void REC_data_process(unsigned char Rdata) //接收数据处理,读一页时,每读一次处理一次
{
}

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